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P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法: 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺...; 陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦; 文献传递

SOI四端口网络及其系统: 本发明提供一种SOI四端口网络及其系统，包括：第一端口、第二端口、第三端口以及第四端口，所述SOI器件进行射频建模时，栅极与所述第一端口连接，漏极与所述第二端口连接，源极与所述第三端口连接，体极与所述第四端口连接。通过S...; 陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦; 文献传递

半刷新机制的单端口静态随机存储器单元: 本发明提出了一种半刷新机制的单端口静态随机存储器单元，至少包括：单稳态锁存器及连接于所述单稳态锁存器的传输门；所述单稳态锁存器包括上拉管及下拉管；所述传输门包括第一获取管及第二获取管。本发明相对传统静态随机存储器单端口单...; 陈静何伟伟罗杰馨王曦; 文献传递

新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应被引量：2: 2019年; 静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅体接触场效应晶体管器件的6晶体管静态随机存储器单元.该L型栅体接触器件遵循静态随机存储器单元中心对称的版图特点,使得存储单元面积相比于采用同器件尺寸的T型栅体接触器件的静态随机存储器单元减小约22%.文中对比研究了L型栅体接触器件与其他场效应晶体管之间的电学性能差异,以及基于不同场效应晶体管静态随机存储器单元的漏电流和读状态下静态噪声容限随辐射总剂量增加的变化规律.测试结果表明, L型栅体接触器件与T型栅体接触器件的器件性能接近,但前者具有面积更小的优势;同时基于L型栅体接触场效应晶体管的静态随机存储器单元的基本电学性能以及抗总剂量辐射效应均优于传统基于浮体场效应晶体管的静态随机存储器单元,因而具有稳定可靠的实用价值.; 王硕常永伟陈静陈静何伟伟何伟伟; 关键词：总剂量辐射效应绝缘体上硅

一种基于SOI的MOS器件结构及其制作方法: 本发明提供一种基于SOI的MOS器件结构及其制作方法，所述结构包括背衬底、绝缘埋层、有源区以及浅沟槽隔离结构；其中：所述有源区中形成有MOS器件，所述MOS器件包括栅区、位于所述栅区下的体区、位于所述体区横向第一侧的第一...; 陈静何伟伟罗杰馨王曦; 文献传递

N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法: 本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，NMOS器件及PN结器件；PN结器件的P区与NMOS器件的体区连接，PN结器件的N区与NMOS器件的栅连接。在P型本征区中进行N型重掺杂分别形...; 陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦; 文献传递

一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法: 本发明提供一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第六NM...; 陈静何伟伟罗杰馨王曦; 文献传递

一种SOI双端口SRAM单元及其制作方法: 本发明提供一种SOI双端口SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第六NMO...; 陈静何伟伟伍青青罗杰馨王曦; 文献传递

一种基于SOI的单端口SRAM单元及其制作方法: 本发明提供一种基于SOI的单端口SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三NMOS晶体管及第...; 陈静何伟伟罗杰馨王曦; 文献传递

一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法: 本发明提供一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第...; 陈静何伟伟罗杰馨王曦; 文献传递

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何伟伟