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高志远

作品数：15 被引量：12H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
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地区

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共 15 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李培咸
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 蓝宝石衬底 多量子阱 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 HEMT 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周小伟
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN 蓝宝石衬底 多量子阱 干法刻蚀 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈海峰
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：GIDL 英文 应力 GAN MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王冲
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 势垒层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
过润秋
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：空场 场板 化合物半导体材料 复合场 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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