张金凤
- 作品数：34 被引量：53H指数：5
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>
- 背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响被引量：5
- 2009年
- 首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了理论计算的正确性.理论计算和实验结果均表明,随着背势垒层Al组分的提高和厚度的增加,主沟道中的二维电子气面密度逐渐减小,寄生沟道的二维电子气密度逐渐增加;背势垒层Al组分的提高和厚度的增加能有效的增强主沟道的二维电子气限域性,但是却带来了较高的寄生沟道载流子密度,因此,在AlGaN/GaN双异质结构的设计时,需要在主沟道二维电子气限域性的提高和寄生沟道载流子密度抑制之间进行折中考虑.
- 张进成郑鹏天董作典段焕涛倪金玉张金凤郝跃
- 关键词：ALGAN/GAN双异质结构
- AlGaN/GaN界面特性研究进展被引量：6
- 2002年
- GaN是一种宽禁带半导体材料,由于具有优越的热稳定性和化学稳定性,使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中,并可用于大功率微波器件。本文主要介绍AlGaN/GaN有关界面特性,该特性反映了纵向纳米尺度下的能带特性;从AlGaN/GaNHEMT设计出发,给出了材料性质和结构参数对AlGaN/GaN异质结二维电子气特性影响的研究结果;讨论了AlGaN/GaN界面2DEG载流子的输运性质;分析了材料缺陷对AlGaN/GaN界面2DEG性质的影响;指出了有待研究的问题和方向。
- 郝跃张金凤
- 关键词：ALGAN/GAN异质结二维电子气表面特性氮化镓
- a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法
- 本发明公开了一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法。其实现流程为：首先，对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁；其次，对其进行拉曼散射测试，得到腐蚀前E<Sub>2</Sub>声子模的频移值；然后，对薄膜样品进行KO...
- 郝跃王党会许晟瑞张进城张金凤毕志伟毛维马晓华赵胜雷薛晓咏艾姗
- 文献传递
- 多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝...
- 王冲魏晓晓张金凤郑雪峰马晓华张进成郝跃
- 氮化物半导体器件材料技术
- 郝跃李培咸周小伟张进成许晟瑞马晓华王冲张金凤毛维薛军帅曹艳荣
- 该项目属微电子领域，主要涉及高性能氮化物器件材料的生长技术。针对氮化物半导体器件对关键材料的共性需求，突破核心技术问题，取得多项创新性成果1、在自主设计制造的设备上创新性地提出并生长出国际领先水平的高质量AlN(氮化铝)...
- 关键词：
- 关键词：氮化物半导体材料半导体器件荧光粉
- AlGaN/GaN中二维电子气研究新进展被引量：4
- 2003年
- AlGaN/GaN异质结是氮化物微波功率器件的基本结构之一,其优越性的关键是在异质界面上形成具有高面电子密度和高迁移率的二维电子气.给出了AlGaN/GaN异质结二维电子气的面电子密度、迁移率对氮化物材料性质、异质结结构参数和温度的依赖关系,以及两者内在矛盾等方面的研究现状,指出了该领域内仍需深入研究的问题,如面电子密度的温度特性、迁移率随合金层的变化关系以及迁移率随面电子密度的变化关系等.
- 张金凤郝跃
- 关键词：二维电子气迁移率电荷控制
- 多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝...
- 王冲魏晓晓张金凤郑雪峰马晓华张进成郝跃
- 文献传递
- 适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型被引量：2
- 2006年
- 分析了深亚微米NMOSFET在ESD应力下的非本地传输特性,分析说明了速度过冲效应可以增大漏端电流,改变器件特性.NMOSFET能量弛豫时间与器件中该点的电场、载流子速度和载流子能量密切相关,从而不能再近似为一个常数.利用蒙特卡罗仿真方法得到电子能量弛豫时间和电子高场迁移率与电子能量的关系表达式,并使用上述模型进行了ESD器件仿真,与实验结果的对比显示,使用该能量弛豫时间模型和高场迁移率模型可以得到准确的器件I-V曲线.
- 朱志炜郝跃张金凤方建平刘红侠
- 关键词：静电放电速度过冲
- 异质外延GaN薄膜中缺陷对表面形貌的影响
- 2009年
- 通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌。GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了一种简单而有效的研究与检测GaN材料内部缺陷的方法。
- 高志远郝跃张金凤
- 关键词：GAN表面形貌
- 在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlN/GaN异质结制备方法
- 本发明公开了一种在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlN/GaN异质结制备方法，主要解决现有技术在单晶金刚石衬底上制作异质结的晶体质量低，影响器件散热能力和工作性能的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN外延层(4)和A...
- 许晟瑞高源徐爽王宇轩张涛张金凤张进成郝跃
