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吴东海

作品数：19 被引量：6H指数：2
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共 26 条 记 录，以下是 1-10
牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 分子束外延生长 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 GAAS 纳米线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐应强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 分子束外延 锑化物 红外探测器 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王国伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：红外探测器 超晶格 INAS/GASB超晶格 锑化物 探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵欢
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 覆盖层 微米 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张石勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 快速热退火 覆盖层 微米 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 多量子阱 砷化镓 垂直腔面发射激光器 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩勤
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 量子点 雪崩光电探测器 光电探测器 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭红玲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：键合 外延片 GAAS 垂直腔面发射激光器 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊永华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INAS量子点 分子束外延 单光子 过渡层 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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