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徐应强: 作品数：169 被引量：118H指数：6; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法: 本发明公开了一种双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法，该激光器由下至上依次包括n型电极、n型衬底、缓冲层、第一n型下限制层、第一下波导层、第一有源区、第一上波导层、第一p型上限制层、隧穿pn结、第二n型下限制层...; 邢军亮张宇王国伟王娟王丽娟任正伟徐应强牛智川; 文献传递

势垒型中长波双色红外探测器及其制作方法: 本公开提供了一种势垒型中长波双色红外探测器及其制作方法，该探测器包括：衬底；外延片结构，生长于衬底的上表面；上台面金属电极，位于外延片结构的上表面的第一端和第二端；下台面金属电极，位于外延片结构两侧预设的裸露区域；钝化层...; 张烨牛智川王国伟徐应强吴东海蒋洞微郝宏玥倪海桥常发冉周文广梁岩

锑化物窄带隙半导体低维材料分子束外延研究进展: 综述了锑化物窄带隙半导体材料的基本特性.介绍了围绕锑化物超晶格、量子阱、纳米线、量子点等系列低维结构的分子束外延生长技术、光电特性表征、发光和探测以及HEMT等光电器件制备的最新成果,主要包括:实现了锑化物InAs/Ga...; 牛智川倪海桥徐应强王国伟张宇尚向军任正伟冯丽萍王国强夏建白; 关键词：分子束外延生长光电特性

V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响: 由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对...; 肖红领王晓亮韩勤王军喜张南红徐应强刘宏新曾一平李晋闽吴荣汉; 关键词：氮化铟表面形貌生长温度外延膜; 文献传递

一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法: 本发明公开了一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法，包括：单晶硅衬底表面清洗，装入磁控溅射装置生长室；在单晶硅表面溅射氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上沉积一层硫化锌薄膜；在硫化锌薄膜上沉积一层...; 张立春王国伟张宇徐应强倪海桥牛智川; 文献传递

PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究被引量：1: 2016年; 系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为3.6×1010cmHz1/2/W.NBN型和NBP型InAsSb单元探测器的R0A都达到了105Ω·cm2(100K)的量级,但NBN型比NBP型的R0A值更大,暗电流密度更低,77K下峰值探测率分别为8.5×101 2cmHz1/2/W和2.4×108cmHz1/2/W.最后制备完成了50%截止波长为3.8μm(PIN型)、3.4μm(NBP型)、2.6μm(NBN型)的InAsSb单元探测器.; 任洋郝瑞亭刘思佳王国伟徐应强牛智川; 关键词：分子束外延 INASSB 中波红外探测器

利用分子束外延生长高质量应变平衡 InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格: 2021年; 利用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了高质量的InAs/InAsSb(无Ga)Ⅱ类超晶格。超晶格的结构由100个周期组成,每个周期分别是3.8 nm厚的InAs层和1.4 nm厚的InAs_(0.66)Sb_(0.34)层。在实验过程中出现了一种特殊的尖峰状缺陷。利用高分辨率x射线衍射(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对外延的超晶格进行了表征和分析。结果表明,优化后的样品几乎为零晶格失配,超晶格0级峰半峰宽为39.3 arcsec,表面均方根粗糙度在10μm×10μm范围内达到1.72Å。红外吸收光谱显示50%的截止波长为4.28μm,PL谱显示InAs/InAs_(0.66)Sb_(0.34)超晶格4.58μm处有清晰锐利的发光峰。这些结果表明,外延生长的InAs/InAsSb超晶格稳定性和重复性良好,值得进一步的研究。; 魏国帅郝瑞亭郭杰马晓乐李晓明李勇常发冉庄玉王国伟徐应强徐应强王耀; 关键词：超晶格分子束外延

锑化物超晶格红外探测材料及红外焦平面探测器研究: InAs/GaSb超晶格材料具有典型的Ⅱ型能带结构,其微带带隙覆盖2μ m～30μm的整个中红外波段,且材料自身对红外探测材料中的俄歇复合具有较好的抑制作用.与HgCdTe、InSb等体材料以及QWIP多量子阱级联结构相...; 王国伟牛智川向伟蒋洞微韩玺郝宏玥任洋徐应强任正伟贺振宏

一种集成半导体激光器的制备方法: 本发明公开了一种2μm单模大功率GaSb基金属光栅主振荡功率放大器集成半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层...; 杨成奥张宇廖永平徐应强牛智川; 文献传递