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徐学俊

作品数：15 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

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共 15 条 记 录，以下是 1-10
陈少武
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 波导 刻蚀 硅基 电光调制器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余金中
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 光开关 硅基 波导 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
屠晓光
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：干法刻蚀技术 硅表面 光刻技术 纳米尺寸 微电子工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙阳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：双光子吸收 亚微米 磁力 测试夹具 掩模板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余和军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：波导 分束器 测量方法 SOI 光输出
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐海华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电光调制器 衬底 沉淀二氧化硅 掩膜板 掩膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄庆忠
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家实验室
研究主题：传输损耗 硅 SOI光波导 高速电光调制器 单模条件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞育德
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：芯片 反应池 硅基 肌肉 液滴
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李运涛
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 芯片 衬底 生物芯片 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 干法刻蚀 碳化硅 SOI 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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