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周静涛

作品数：65 被引量：28H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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领域

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地区

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  • 1个广西
共 36 条 记 录，以下是 1-10
杨成樾
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：欧姆接触 碳化硅 刻蚀 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘焕明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SUB 硅基 钝化层 离子注入工艺 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 电极 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 背栅 反相器 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白云
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 SIC 衬底 微波等离子体 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤益丹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 含氧气体 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HEMT ALGAN/GAN INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 氮化镓器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张慧慧
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅基 光子晶体 线缺陷 三角晶格 成品率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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