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陈少武

作品数:131 被引量:203H指数:7
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 41个北京市
  • 2个湖北省
43 条 记 录,以下是 1-10
余金中
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:SOI 光开关 硅基 英文 波导
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李运涛
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:SOI 芯片 衬底 生物芯片 波导
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樊中朝
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:刻蚀 SOI 干法刻蚀 碳化硅 多模干涉耦合器
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屠晓光
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:干法刻蚀技术 硅表面 光刻技术 纳米尺寸 微电子工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐学俊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:电光调制器 硅基 双光子吸收 光开关 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘敬伟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:SOI 光纤耦合 光开关矩阵 光开关 SOI光波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张利斌
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光放大器 全光 微环谐振腔 高频脉冲 非线性光学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王章涛
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:多模干涉耦合器 SOI 光开关 多模干涉 光开关矩阵
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
费永浩
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:电光调制器 波导 微环谐振腔 几何尺寸 微环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏金松
供职机构:华中科技大学
研究主题:SOI 铌酸锂 干法刻蚀 脊形波导 集成光学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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