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闫萍

作品数：19 被引量：21H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家部委资助项目更多>>
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地区

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共 16 条 记 录，以下是 1-10
庞炳远
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：区熔 硅单晶 区熔硅单晶 硅单晶生长 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
索开南
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：区熔 少子寿命 硅 区熔硅单晶 SI单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张殿朝
供职机构：天津工业大学
研究主题：区熔 少子寿命 硅单晶 区熔硅单晶 数值模拟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：FZ 区熔硅单晶 硅单晶 区熔 电阻率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董军恒
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：电阻率 均匀性 区熔 少子寿命 FZ
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘燕
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：硅 电阻率 区熔 少子寿命 FZ
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何远东
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：锗 翘曲度 表面粗糙度 单晶 清洗液
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨洪星
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：锗 单晶片 抛光片 晶片 表面粗糙度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张伟才
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：锗 抛光片 化学机械抛光 机械强度 IPA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
栾国旗
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：多晶硅 提纯 真空 SIC 硅片表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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