张殿朝
- 作品数：20 被引量：19H指数：3
- 供职机构：天津工业大学更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学动力工程及工程热物理更多>>
- 真空高阻区熔硅单晶少子寿命的研究
- 本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有(30～40)m的低寿命区,之后随着...
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔硅单晶少子寿命
- 文献传递
- 真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
- 介绍了生长电阻率1×10~4～2×10~4Ω·cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～...
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔少子寿命漩涡位错
- 文献传递
- 区熔法硅单晶生长的电磁场仿真计算
- 悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,高频线嘲产生的电磁场能量分布直接影响着硅单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔硅单晶生长进行数值模拟。本文考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔...
- 庞炳远闫萍索开南张殿朝
- 关键词：硅单晶生长数值模拟有限元计算机仿真
- 文献传递
- 区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算
- 2008年
- 悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔Si单晶生长系统的组成,通过电磁场基本方程的推导建立了电磁场模型。利用软件进行了计算机建模,对模型的网格划分充分考虑了计算的关键部位,通过边界条件和载荷的选取完善了电磁场方程,最终通过计算机仿真计算得出电磁场的模拟结果。
- 庞炳远闫萍索开南张殿朝
- 关键词：区熔SI数值模拟电磁场
- 一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈
- 本实用新型公开了一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，所述线圈为平板单匝结构，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，在所述线圈骨架的上表面设有三级台阶，从第一级台阶至第三级台阶的所在圆的直径...
- 庞炳远闫萍张殿朝索开南
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- 高阻真空区熔硅单晶的生长被引量：6
- 2007年
- 介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3～5)×103Ω.cm及(1～2)×104Ω.cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3～5)×103Ω.cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型区熔掺杂。单晶直径30～35 mm,晶向<111>。经检测无位错及漩涡缺陷,单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上。
- 闫萍陈立强张殿朝
- 关键词：硅单晶
- 多晶硅真空区熔提纯技术研究被引量：5
- 2010年
- 对真空单晶用多晶硅真空区熔提纯技术进行了分析,通过理论实践相结合,对真空区熔提纯过程中的提纯速率、熔区长度、提纯次数以及其它工艺参数进行了分析,制定了获得目标电阻率、型号、直径的有效区熔提纯工艺。
- 栾国旗张殿朝闫萍高颖马玉通
- 关键词：多晶硅提纯
- 氢氧站项目危险源辨识及安全管理对策研究
- 危险化学品生产企业中危险源辨识与安全管理对策是当前行业生产中需要解决的首要问题，对其中各类具体项目的危险源辨识及安全管理对策研究势在必行。本课题针对危化品生产企业中典型的氢氧站项目开展危险源辨识和安全对策管理研究，以具体...
- 张殿朝
- 关键词：危险源辨识安全管理
- 文献传递
- 真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命被引量：7
- 2008年
- 通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶生长相比,在真空环境下采用较低的晶体生长速率即可生长出无漩涡缺陷的单晶,而当晶体生长速度较高时,尽管可以消除漩涡,但单晶的少子寿命却有明显的下降。
- 闫萍张殿朝庞丙远索开南
- 关键词：微缺陷少子寿命
- 线圈台阶对区熔硅单晶生长影响的数值计算分析
- 2009年
- 悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况。通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟,考虑二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,主要对比分析了线圈上方有无台阶对单晶生长的不同影响。同时结合相应的试验结果及现象,得到了线圈台阶的引入提高了晶体成晶的质量。
- 庞炳远闫萍索开南张殿朝
- 关键词：区熔硅单晶数值模拟
