闫萍
- 作品数：19 被引量：21H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 真空高阻区熔硅单晶少子寿命的研究
- 本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有(30～40)m的低寿命区,之后随着...
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔硅单晶少子寿命
- 文献传递
- 区熔法硅单晶生长的电磁场仿真计算
- 悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,高频线嘲产生的电磁场能量分布直接影响着硅单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔硅单晶生长进行数值模拟。本文考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔...
- 庞炳远闫萍索开南张殿朝
- 关键词：硅单晶生长数值模拟有限元计算机仿真
- 文献传递
- 区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算
- 2008年
- 悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔Si单晶生长系统的组成,通过电磁场基本方程的推导建立了电磁场模型。利用软件进行了计算机建模,对模型的网格划分充分考虑了计算的关键部位,通过边界条件和载荷的选取完善了电磁场方程,最终通过计算机仿真计算得出电磁场的模拟结果。
- 庞炳远闫萍索开南张殿朝
- 关键词：区熔SI数值模拟电磁场
- 真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
- 2008年
- 介绍了生长电阻率1×104～2×104Ω.cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～40mm的低寿命区,之后随着生长的继续,寿命又会有明显的升高。此种现象在相同条件、相同原料生长的气氛单晶中就没有出现。利用金相电子显微镜对所发现的低寿命区进行了缺陷分析,结果在低寿命区的断面处均未发现漩涡、位错等对寿命影响较为严重的缺陷。
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔少子寿命漩涡位错
- 硅中微量硼元素的区熔掺杂
- 2014年
- 以高纯B2O2的水溶液为掺杂剂，采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式，实现了硅材料的微量硼掺杂，研制出了导电类型为P型、电阻率为3000～5000Ω·cm的区熔用硅多晶。实验表明，区熔掺杂完成后附加的一次真空区熔过程，使杂质在多晶硅中的分布变得更加均匀。在确定的工艺条件下，由于掺杂前及掺杂后多晶硅轴向电阻率的一致性、实验用多晶硅样本的大小、所需掺杂剂剂量的多少等因素均会影响掺杂的准确性，因此需要在相同条件下进行多次实验，通过积累大量的实验数据以实现准确掺杂。
- 闫萍庞炳远索开南
- 关键词：掺硼硅
- 真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命被引量：7
- 2008年
- 通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶生长相比,在真空环境下采用较低的晶体生长速率即可生长出无漩涡缺陷的单晶,而当晶体生长速度较高时,尽管可以消除漩涡,但单晶的少子寿命却有明显的下降。
- 闫萍张殿朝庞丙远索开南
- 关键词：微缺陷少子寿命
- 高阻真空区熔硅单晶的生长被引量：6
- 2007年
- 介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3～5)×103Ω.cm及(1～2)×104Ω.cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3～5)×103Ω.cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型区熔掺杂。单晶直径30～35 mm,晶向<111>。经检测无位错及漩涡缺陷,单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上。
- 闫萍陈立强张殿朝
- 关键词：硅单晶
- 多晶硅真空区熔提纯技术研究被引量：5
- 2010年
- 对真空单晶用多晶硅真空区熔提纯技术进行了分析,通过理论实践相结合,对真空区熔提纯过程中的提纯速率、熔区长度、提纯次数以及其它工艺参数进行了分析,制定了获得目标电阻率、型号、直径的有效区熔提纯工艺。
- 栾国旗张殿朝闫萍高颖马玉通
- 关键词：多晶硅提纯
- 红外增透薄膜的研究进展被引量：5
- 2016年
- 红外增透膜已被广泛的应用于现代光学系统,并直接决定了光学器件性能的优劣,特别是对于航空航天领域具有十分重要的现实意义。红外增透膜的常见制备方法有真空蒸发、电子束蒸发、化学气相沉积法等。文章着重介绍国内外关于红外增透膜的研究进展,综述红外增透膜材料的选择、常规红外增透膜材料的改性、红外增透膜系的设计及新型红外增透膜材料的开发,预测了红外增透膜材料未来的发展趋势。特别关注膜材料的红外透过率及机械强度等性能,明确不同红外增透膜的工作波段及应用前景。
- 何远东张伟才闫萍杨洪星
- 关键词：光学薄膜红外增透膜透过率机械强度改性
- 区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素
- 2018年
- 因生长时工艺条件的不同,区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化。对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分析,并给出了不同工艺条件下单晶中漩涡缺陷的宏观分布状态以及所对应缺陷的微观形貌。单晶生长实验结果表明,除生长速率与晶体中的微缺陷变化具有明显的对应关系外,晶体生长界面附近的温度梯度、晶体直径以及晶体生长的气氛环境等因素也与晶体中的微缺陷直接相关。
- 邢友翠闫萍刘玉岭李万策
- 关键词：硅单晶
