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李兵

作品数：41 被引量：40H指数：3
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陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 MEMS 沟道 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢常青
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 X射线光刻 敏感膜 存储器 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胥兴才
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 LPCVD 掩模 氮化硅 光刻技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘训春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：晶体管 HBT 电子束曝光 INP 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩敬东
供职机构：中国科学院
研究主题：X射线光刻 LPCVD 氮化硅 掩模 氮化硅膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周宗义
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底温度 反应离子刻蚀 硅片 辉光放电 辉光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王佳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微电子技术 微电子 启辉 真空室 衬底温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱效立
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 电子束直写 衍射效率 衍射光学元件 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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