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陈大鹏
作品数:
674
被引量:449
H指数:11
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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叶甜春
清华大学
焦斌斌
中国科学院微电子研究所纳米加工...
殷华湘
清华大学
欧毅
中国科学院微电子研究所纳米加工...
徐秋霞
清华大学
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作者
674篇
陈大鹏
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叶甜春
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殷华湘
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欧毅
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徐秋霞
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39篇
2008
32篇
2007
22篇
2006
29篇
2005
共
674
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光学读出红外传感器
本发明是一种光学读出红外传感器,包括固定在支撑梁上的微梁单元,微梁单元中包含热变形机构和吸热反光板,热变形机构形成折转式分布;其特征在于:热变形机构为两层,由上层和下层连续回折构成;上层的初级与吸热反光板连接、下层的末级...
张青川
伍小平
陈大鹏
文献传递
半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法,包括步骤:在衬底上形成栅极堆叠结构;执行第一离子注入,在栅极堆叠结构两侧的衬底中注入第一掺杂离子;在衬底和栅极堆叠结构上淀积金属层;执行第一退火,金属层与衬底反应形成金属硅化物的源漏区...
罗军
邓坚
赵超
钟汇才
李俊峰
陈大鹏
文献传递
一种气敏传感器标定和可靠性测试系统
本发明涉及气敏传感器测试技术领域,公开了一种气敏传感器标定和可靠性测试系统,该系统包括进气单元、气体流量监控及组分控制单元、气体混合腔、真空测试腔和传感器电参量测量装置;所述进气单元中的气体在气体流量监控及组分控制单元的...
黄钦文
陈大鹏
景玉鹏
欧毅
叶甜春
文献传递
双材料悬臂梁应力匹配方法
本发明提供了一种双材料悬臂梁的应力匹配方法,包括:在衬底上形成第一下层薄膜,具有第一应力和第一厚度;在第一下层上形成第二下层薄膜,具有第二应力和第二厚度,其中第一下层和第二下层为不同方法形成的同种材料;在第二下层上形成上...
刘瑞文
焦斌斌
李志刚
陈大鹏
文献传递
硅腐蚀局部终止层制作方法
本发明公开了一种硅腐蚀局部终止层制作方法,包括:在含硅的衬底中形成双槽结构,双槽结构之间的衬底构成硅基热沉;对双槽结构底部进行垂直离子注入;执行高温激活和扩散工艺,使得注入的离子在双槽结构底部形成闭合的重掺杂区,所述重掺...
尚海平
焦斌斌
刘瑞文
陈大鹏
李志刚
卢迪克
文献传递
光学读出热型红外图像传感器中加强型红外吸收板
光学读出热型红外图像传感器中加强型红外吸收板,其结构形式是以非金属红外吸收膜为下层、以金属镀层为上层,形成单层膜结构;其结构特征是在所述红外吸收膜的底部,设置抗弯曲加强筋,所述抗弯曲加强筋与所述非金属红外吸收膜为同种材质...
史海涛
张青川
陈大鹏
焦斌斌
伍小平
文献传递
后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法
本发明提供了一种后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法,包括以下步骤:在晶圆表面形成多晶硅假栅结构以及测试结构;确定测试结构密度量测目标及误差范围;使用XRR设备测量测试结构的密度,判断多晶硅假栅是否完全移除。该技术可以有...
杨涛
赵超
李俊峰
闫江
陈大鹏
文献传递
一种可集成的纳米结构红外光源
本发明公开了一种可集成的纳米结构红外光源,利用MEMS/CMOS工艺,对非晶硅表面进行纳米修饰加工,形成锥状纳米结构,再对锥状纳米结构进行TiN镀层加工;最后采用正面XeF<Sub>2</Sub>释放技术,对硅衬底进行深...
谭秋林
陈媛靖
熊继军
薛晨阳
张文栋
刘俊
毛海央
明安杰
欧文
陈大鹏
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采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法
一种采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法,硅基MEMS器件具有硅衬底,硅衬底的上表面有已经制备完成的电路结构层,该方法包括以下步骤:对硅衬底的下表面进行机械抛光,在硅衬底的下表面形成有机械损伤层;先采用光刻胶覆盖...
尚海平
焦斌斌
卢迪克
李志刚
刘瑞文
陈大鹏
文献传递
多栅器件的形成方法
一种多栅器件的形成方法,包括:提供半导体衬底;对所述半导体衬底进行刻蚀以形成凸出的鳍部;对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀,在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙;形成介质层,覆盖所述半导体衬底和鳍部,并填充所述空隙;对所述...
殷华湘
徐秋霞
陈大鹏
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