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葛霁

作品数:17 被引量:23H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

领域

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机构

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地区

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15 条 记 录,以下是 1-10
刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:HEMT ALGAN/GAN INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 氮化镓器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王显泰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INP INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:欧姆接触 碳化硅 刻蚀 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程伟
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INP DHBT 磷化铟 HBT 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金智
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈延湖
供职机构:山东大学
研究主题:INGAP/GAAS_HBT HBT INGAP/GAAS 小信号 MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏永波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:磷化铟 INP DHBT INP基 W波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈高鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:KU波段 GAAS_HBT 累加器 DHBT W波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨威
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP/GAAS_HBT INGAP/GAAS 异质结双极型晶体管 合金 MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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