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冯淦

作品数：16 被引量：26H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 26 条 记 录，以下是 1-10
杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张宝顺
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 电极 HEMT器件 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈晓明
供职机构：广西大学
研究主题：GAN 光纤 太阳能 照明装置 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁骏吾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 GAN MOCVD 硅 多晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯志宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 立方相 氮化镓 MOCVD 立方相GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵德刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 紫外探测器 衬底 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙元平
供职机构：烟台大学
研究主题：GAN GAAS衬底 光致发光 立方相GAN 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张泽洪
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 氮化镓 MOVPE 立方相GAN 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱建军
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氮化镓 GAN 衬底 激光器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉田
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 X射线双晶衍射 GAN MOCVD 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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