梁骏吾
- 作品数：103 被引量：282H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学经济管理环境科学与工程更多>>
- GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制被引量：1
- 2002年
- 采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN（0002）ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰.作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个:一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变;另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变.
- 冯淦郑新和朱建军沈晓明张宝顺赵德刚孙元平张泽洪王玉田杨辉梁骏吾
- 关键词：GAN半导体材料
- 多并联、大通量过滤器的自动反洗方法
- 本发明涉及水处理过程所用的多并联、大通量过滤器成组反洗自动化控制技术。首先，设定自动反洗的四个条件：浓水量、分流水量、源水的污染指数和多并联过滤器的台数。接着，通过控制器进行在线检测，及时获得上述数据。然后，通过控制器内...
- 闻瑞梅梁骏吾吴坚闻心德
- 文献传递
- 蓝紫光InGaN多量子阱激光器被引量：2
- 2007年
- 在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm2,特征温度为145K.
- 李德尧张书明王建峰陈俊陈良惠种明朱建军赵德刚刘宗顺杨辉梁骏吾
- 关键词：GAN基激光器多量子阱
- 低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
- 1993年
- 用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修正后的Kronig-Penny模型,考虑能带的非抛物线性,拟合了激子能量移动和阱宽的关系曲线。用有效晶体近似方法(VCA)分析了激子尺寸范围内界面不平整度以及合金组分无序对激子谱线线宽的影响。以界面不平整度参量δ_1和δ_2,合金组分元序参量r_c为拟合参数,拟合了激子线宽对阱宽的关系曲线。取δ_1=2.93A,δ_2=100A,r_c=3ML,理论拟合值与实验值符合较好。
- 陈德勇朱龙德李晶熊飞克徐俊英万寿科梁骏吾
- 关键词：INGAAS/INP
- 半导体硅片生产形势的分析被引量：2
- 2003年
- 半导体器件支撑着庞大的信息产业,而半导体器件93%以上是硅器件,它们以硅片为基础材料。本文将叙述半导体器件和硅片在世界与国内的生产状况和需求量,并对我国硅材料企业满足市场能力进行分析。2001年世界半导体器件生产低落,
- 梁骏吾郑敏政袁桐闻瑞梅
- 关键词：半导体集成电路硅片
- AlGaN材料金属接触的性能和界面结构研究被引量：1
- 2005年
- 文章通过A lGaN材料的金属接触制作工艺和接触性能、接触界面显微结构和基础理论研究等诸方面反映A lGaN材料的欧姆接触及势垒接触研究概况和最新进展。
- 胡正飞沈晓明周盛容侯艳芳梁骏吾李向阳龚海梅李雪
- 关键词：欧姆接触显微结构
- AlGaN材料的MOCVD生长研究被引量：2
- 2005年
- 文章研究了A lGaN材料的MOCVD生长机制。在位监控曲线表明,A lGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于A l原子表面迁移率太小,随着TMA l流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着A l组分的增加而下降,A lGaN的表面形貌也变差。随着TMA l流量的增加,A lGaN材料的生长速率反而下降,这是由于A l原子阻止了Ga原子参与材料生长。实验还发现,由于TMA l与NH3之间存在强烈的寄生反应,A lGaN材料中的A l组分远小于气相中的A l组分。文中简单探讨了提高A lGaN材料质量的生长方法。
- 赵德刚杨辉梁骏吾李向阳龚海梅
- 关键词：ALGANMOCVD
- MOCVD系统中AlN生长速率的研究被引量：1
- 2005年
- 文章研究了MOCVD系统中影响A lN生长速率的机制。我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了A lN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量、TMA l流量等生长参数的关系。实验发现,A lN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量等参数之间表现出反常的依赖关系。我们认为,MOCVD系统中存在A l原子的寄生反应,导致了反常现象的发生。A lN生长速率与TMA l流量的关系进一步证明了这一点。实验结果表明,较低的生长温度、较小的反应室压力能够有效地提高A lN生长速率,同时也将有利于提高A l-GaN材料中的A l组分。
- 赵德刚杨辉梁骏吾李向阳龚海梅
- 关键词：MOCVDALN生长速率
- 光伏产业面临多晶硅瓶颈及对策被引量：44
- 2006年
- 叙述了世界以及中国光伏电池材料发展的形势。目前,世界光伏电池产业仍然以硅光电池为主,然而,自2004年以来,全球出现多晶硅短缺,中国的多晶硅也严重不足。这已成为光伏电池发展的瓶颈。因此,必须尽快完成下列紧迫任务:①国内已在建的多晶硅厂应早日建成、投产;②应改进多晶硅生产技术,降低硅生产的能耗、冶金硅消耗、氢耗和氯耗,每kg硅生产成本和环保指标都应该处于世界先进水平。从长远来看,流床技术将被一些工厂用来生产太阳能级多晶硅。薄膜太阳能电池(含非晶硅、微晶硅基及各种化合物半导体薄膜)具有相当大的潜力,但其产品性能还须改进,应努力使之形成规模生产。
- 梁骏吾
- 关键词：太阳能电池多晶硅
- 粉尘清除器
- 本实用新型公开了一种适用于半导体材料制备中清除有毒的砷、磷粉末的粉尘清除器,包括粉尘导管、法兰盘、孔板、过滤室、袋状过滤膜、出口导管和离心式抽风机。含有粉尘的气体在离心式抽风机的作用下,通过粉尘导管和孔板进入袋状过滤膜的...
- 闻瑞梅邓礼生刘任重梁骏吾
- 文献传递
