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吴德馨

作品数：128 被引量：186H指数：8
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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领域

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资助

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传媒

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地区

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共 112 条 记 录，以下是 1-10
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
和致经
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN 欧姆接触 HEMT ALGAN/GAN_HEMT HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：欧姆接触 碳化硅 刻蚀 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周静涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：肖特基二极管 硅基 太赫兹 垂直腔面发射激光器 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：自对准 异质结双极晶体管 GAAS 异质结双极型晶体管 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
葛霁
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HBT INP DHBT 磷化铟 功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪刚
供职机构：桂林电子科技大学
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙海锋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS INGAP/GAAS_HBT 异质结双极晶体管 自对准 EEACC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘健
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：欧姆接触 氮化镓器件 接触系统 铝 钛
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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