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郭建楠

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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地区

  • 9个北京市
共 9 条 记 录，以下是 1-9
王显泰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
麻芃
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 碳基 载流子迁移率 场效应晶体管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏永波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：磷化铟 INP DHBT INP基 W波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭松昂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 场效应晶体管 电极 金属 载流子迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈娇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 场效应晶体管 跨导 截止频率 金属接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘洪亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：跨导 金属接触 金属 截止频率 接触电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪宁
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：减薄 研磨工艺 光刻胶 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴旦昱
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ADC 电路 数模转换器 模数转换器 累加器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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