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伊晓燕

作品数：266 被引量：124H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
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王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
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刘志强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 GAN 衬底
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王国宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 衬底 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 基板 LED 金属电极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李璟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 多量子阱 氮化镓 外延片 衬底
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谢海忠
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 氮化镓 多量子阱 晶圆 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭金霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 发光器件 欧姆接触电极 电极
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王良臣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 RTD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢鹏志
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 基板 LED 封装结构 封装
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