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邓小川

作品数：113 被引量：133H指数：5
供职机构：电子科技大学更多>>
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领域

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主题

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机构

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  • 1个西华大学
  • 1个重庆大学

资助

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传媒

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地区

  • 43个四川省
  • 10个北京市
  • 8个河北省
  • 3个湖南省
  • 1个江苏省
共 65 条 记 录，以下是 1-10
张波
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 导通压降 导电类型 电能传输系统
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李轩
供职机构：电子科技大学
研究主题：MOSFET器件 碳化硅 槽栅 开启电压 接触区
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李旭
供职机构：电子科技大学
研究主题：碳化硅 激光诱导击穿光谱 槽栅 氧化层 开启电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李肇基
供职机构：电子科技大学
研究主题：击穿电压 功率器件 SOI 导电类型 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈茜茜
供职机构：电子科技大学
研究主题：VDMOS器件 碳化硅 栅介质 MOSFET器件 氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗小蓉
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 关断损耗 槽栅 SOI LIGBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：欧姆接触 碳化硅 刻蚀 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
萧寒
供职机构：电子科技大学
研究主题：碳化硅 VDMOS器件 半导体技术 多晶硅 接触区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
甘志
供职机构：电子科技大学
研究主题：VDMOS器件 半导体技术 多晶硅 接触区 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈壮梁
供职机构：电子科技大学
研究主题：击穿电压 金属半导体场效应晶体管 MESFET 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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