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郑英奎

作品数：105 被引量：30H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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共 58 条 记 录，以下是 1-10
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
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魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 GAN
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刘果果
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 ALGAN/GAN 电流崩塌
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
和致经
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN 欧姆接触 HEMT ALGAN/GAN_HEMT HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵妙
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：肖特基 电极 氮化镓 铁电 特性参数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王鑫华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 势垒层 GAN 刻蚀 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李诚瞻
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题：外延层 碳化硅 ALGAN/GAN 欧姆接触 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧阳思华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：AGILENT VEE 自动测试系统 峰值结温 肖特基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭铭曾
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 峰值结温 红外热像仪 沟道 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李艳奎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：AGILENT VEE 自动测试系统 HEMT器件 MI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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