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段树坤

作品数：24 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>

合作作者

领域

  • 24个电子电信
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主题

  • 23个半导体
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  • 8个单量子阱
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机构

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  • 1个香港中文大学
  • 1个中国科学院研...
  • 1个中国科学院力...

资助

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  • 18个国家高技术研...
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传媒

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  • 3个光电子．激光
  • 3个北京大学学报...

地区

  • 20个北京市
  • 2个上海市
  • 1个山西省
  • 1个浙江省
共 24 条 记 录，以下是 1-10
陆大成
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOVPE GAN MOVPE生长 MOCVD
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王德煌
供职机构：北京大学物理学院
研究主题：FE 光折变 半导体 相位共轭 激光辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王威礼
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光折变 FE 激光辐照 光折变晶体 相位共轭
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晶
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：脊形 高阶 直接调制 波导 雪崩光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
滕学公
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：可见光 INGAAS 硅基 共振腔 多孔硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庄婉如
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 半导体激光器 砷化镓 GAAS/GAALAS 光开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周洁
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：深能级 砷化镓 硅 DX中心 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万寿科
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 X 砷化镓 GASB SI-GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨海峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化 分子束外延 立方相 电子显微分析 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢励吾
供职机构：北京大学物理学院
研究主题：深能级 分子束外延生长 能级 硅 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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