2025年1月7日
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杨成樾
作品数:
153
被引量:23
H指数:4
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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国家重点基础研究发展计划
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合作作者
刘新宇
中国科学院微电子研究所
白云
中国科学院微电子研究所
汤益丹
中国科学院微电子研究所
田晓丽
中国科学院微电子研究所
陈宏
中国科学院微电子研究所
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刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
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白云
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 衬底 微波等离子体 肖特基二极管 SIC
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汤益丹
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 衬底 微波等离子体 含氧气体 肖特基接触
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田晓丽
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 击穿电压
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研究领域
陈宏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 衬底 SIC 沟槽 源极
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研究领域
周静涛
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:肖特基二极管 硅基 钝化层 肖特基 太赫兹
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申华军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 刻蚀 欧姆接触 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
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刘焕明
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:钝化层 SUB 硅基 离子注入工艺 肖特基二极管
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研究领域
王盛凯
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
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研究领域
李博
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 背栅 反相器
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