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杨成樾

作品数：147 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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领域

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资助

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传媒

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地区

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刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白云
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 SIC 衬底 微波等离子体 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤益丹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 含氧气体 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田晓丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 场限环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 SIC 衬底 沟槽 源极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周静涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：肖特基二极管 硅基 太赫兹 垂直腔面发射激光器 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：欧姆接触 碳化硅 刻蚀 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘焕明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SUB 硅基 钝化层 离子注入工艺 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 背栅 反相器 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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