汤益丹
- 作品数：121 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程自动化与计算机技术更多>>
- 基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法
- 一种基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法，包括：在凹槽栅刻蚀后，利用微波等离子体将凹槽栅表面的碳化硅氧化为二氧化硅，形成凹槽栅氧化层，其中形成凹槽栅氧化层的步骤包括：将进行凹槽栅刻蚀后的碳化硅衬底放置在微...
- 刘新宇汤益丹王盛凯白云杨成樾
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- SiC衬底的图形化方法
- 本发明提供了一种SiC衬底的图形化方法。该图形化方法包括以下步骤：S1，在SiC衬底的表面形成刻蚀窗口，对应刻蚀窗口的SiC衬底的表面裸露；S2，形成覆盖于刻蚀窗口的金属层，使与SiC衬底接触的金属层与SiC衬底发生硅化...
- 杨成樾王臻星白云汤益丹陈宏田晓丽刘新宇
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- 1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制被引量：1
- 2018年
- 基于SiC结势垒肖特基（JBS）二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提高了器件的载流子输运能力。测试结果表明,当正向导通压降为1.60 V时,其正向电流密度达247 A/cm^2（以芯片面积计算）。在测试温度25和200℃时,当正向电流为100 A时,正向导通压降分别为1.64和2.50 V;当反向电压为1 200 V时,反向漏电流分别小于50和200μA。动态特性测试结果表明,器件的反向恢复特性良好。器件均通过100次温度循环、168 h的高温高湿高反偏（H3TRB）和高温反偏可靠性试验,显示出优良的鲁棒性。器件的成品率达70%以上。
- 汤益丹李诚瞻史晶晶白云白云彭朝阳彭朝阳刘新宇
- 关键词：高温大电流密度反向漏电流
- 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：源极(1)、栅极(2)、栅氧化层(3)、N<Sup>+</Sup>源区(4)、P<Sup>+</Sup>接触区(5)、P阱(6)、N<Sup>‑</Sup>外延层...
- 霍瑞彬申华军白云汤益丹刘新宇
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- 一种在SiC材料上生长SiO<Sub>2</Sub>钝化层的方法
- 本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO<Sub>2</Sub>钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO<Sub>2</Sub>钝化层和对SiO<Sub>2...
- 李博申华军白云汤益丹刘焕明周静涛杨成樾
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- 一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法
- 本发明公布了一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法。该方法只需通过两次光刻即可实现栅沟槽、源沟槽的两次刻蚀以及P‑、P+和N+有源区的三次离子注入。其中，栅沟槽刻蚀和P‑、N+注入通过一次光刻和两次自对准工艺实...
- 杨成樾白云汤益丹陈宏田晓丽王臻星刘新宇
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- 一种宽禁带功率器件场板的制造方法
- 本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜...
- 刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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- 一种场限环结终端结构的优化设计方法
- 本发明公开了一种场限环结终端结构的优化设计方法，涉及电力电子器件技术领域，解决了现有技术中场限环结终端结构优化设计较为复杂的问题。该方法包括：确定初始的场限环的环深、环浓度、环宽度和环个数；设定初始的场限环间距分布；将相...
- 白云申华军汤益丹杨成樾王弋宇于海龙彭朝阳刘新宇
- 一种环形温度传感器
- 本发明公开了一种环形温度传感器，用于测量晶体管的温度，包括：按由内而外顺序依次设置在所述晶体管的有源区的环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形阳极、环形N阱区以及环形P阱区；以及环形阴极，所述环形阴极设置在所述环形N型...
- 顾航白云谭犇陈宏宋瓘张有润汤益丹田晓丽刘新宇
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- 一种测量高Al组分AlGaN材料刻蚀诱生界面态参数的方法
- 本发明公开了一种测量高Al组分AlGaN材料的刻蚀诱生界面态参数的方法，该方法包括：在蓝宝石衬底上外延高Al组分AlGaN材料；利用ICP刻蚀技术对AlGaN材料表面进行处理；制备基于AlGaN材料的无刻蚀处理及经过刻蚀...
- 白云申华军汤益丹王弋宇韩林超刘新宇
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