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郑畅达

作品数:26 被引量:85H指数:5
供职机构:南昌大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

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37 条 记 录,以下是 1-10
江风益
供职机构:南昌大学
研究主题:GAN 硅衬底 SI衬底 氮化镓 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王立
供职机构:南昌大学
研究主题:GAN MOCVD MOCVD生长 光致发光 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方文卿
供职机构:南昌大学材料科学与工程学院
研究主题:GAN 镓 硅衬底 MOCVD 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒲勇
供职机构:南昌大学
研究主题:MOCVD ZNO薄膜 金属有机化学气相沉积 X射线双晶衍射 ZNO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴江南
供职机构:华中科技大学
研究主题:ZNO MOCVD ZNO薄膜 X射线双晶衍射 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
莫春兰
供职机构:南昌大学
研究主题:GAN 硅衬底 发光二极管 SI衬底 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘军林
供职机构:南昌大学
研究主题:硅衬底 多量子阱 SI衬底 氮化镓 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方芳
供职机构:南昌大学
研究主题:ZNO 量子点 ALD 纳米线 光催化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全知觉
供职机构:南昌大学
研究主题:碲镉汞 ALINGAN 发光二极管 禁带 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王光绪
供职机构:南昌大学
研究主题:硅衬底 氮化镓 LED芯片 GAN 基板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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