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王立

作品数:182 被引量:223H指数:9
供职机构:南昌大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金电子信息产业发展基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 98篇专利
  • 67篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 4篇学位论文
  • 4篇科技成果

领域

  • 58篇电子电信
  • 44篇理学
  • 8篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇化学工程
  • 4篇电气工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 42篇发光
  • 32篇衬底
  • 28篇GAN
  • 20篇MOCVD
  • 19篇半导体
  • 18篇光致
  • 18篇光致发光
  • 18篇MOCVD生...
  • 17篇氮化镓
  • 16篇硅衬底
  • 15篇ZNO薄膜
  • 13篇化学气相
  • 13篇化学气相沉积
  • 13篇SI衬底
  • 12篇衍射
  • 12篇双晶衍射
  • 12篇X射线双晶衍...
  • 12篇
  • 9篇二极管
  • 9篇发光二极管

机构

  • 182篇南昌大学
  • 10篇南昌硅基半导...
  • 4篇晶能光电(江...
  • 3篇华南师范大学
  • 2篇教育部发光材...
  • 2篇南昌黄绿照明...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇东华理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇新余学院

作者

  • 182篇王立
  • 73篇江风益
  • 43篇方文卿
  • 31篇熊传兵
  • 31篇莫春兰
  • 20篇蒲勇
  • 17篇李述体
  • 17篇戴江南
  • 16篇彭学新
  • 14篇王震东
  • 13篇刘小青
  • 12篇刘虎
  • 10篇郑畅达
  • 10篇姚冬敏
  • 9篇李璠
  • 9篇胡正光
  • 8篇刘和初
  • 8篇李鹏
  • 8篇赵勇
  • 8篇王仲平

传媒

  • 15篇发光学报
  • 10篇Journa...
  • 9篇南昌大学学报...
  • 8篇光学学报
  • 5篇功能材料与器...
  • 3篇物理学报
  • 2篇实验室研究与...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇南昌大学学报...
  • 1篇稀土
  • 1篇半导体技术
  • 1篇化学教育
  • 1篇核技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇半导体光电
  • 1篇华南师范大学...
  • 1篇实验技术与管...

年份

  • 4篇2024
  • 27篇2023
  • 16篇2022
  • 8篇2021
  • 6篇2020
  • 7篇2019
  • 7篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 7篇2015
  • 6篇2014
  • 6篇2013
  • 5篇2012
  • 7篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 24篇2006
  • 10篇2005
  • 6篇2004
182 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种可定位温控的微区加热阵列及其选择性转移半导体微纳集成元件的使用方法
本发明提供了一种可定位温控的微区加热阵列及其选择性转移半导体微纳集成元件的使用方法,包括微区加热阵列和程序控制系统,所述的微区加热阵列包括:电极层I、电极层II、n个微区加热单元,n≧64,其中,电极层I包括了n个电极I...
王立赵婕吴小明李璠刘虎田婷芳饶郑刚莫春兰江风益
一种废旧LED照明灯泡回收方法
本发明提供了一种废旧LED照明灯泡回收方法,包括:将废旧LED照明灯泡进行处理得到塑料外壳、散热铝片、LED芯片以及电路板,并对塑料外壳和散热铝片进行回收处理;剥离电路板上的电子元器件并回收金属锡,得到裸板;将LED芯片...
刘虎王立饶郑刚田婷芳舒龙龙章少华
文献传递
Si衬底GaN基LED理想因子的研究被引量:9
2006年
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。
刘卫华李有群方文卿周毛兴刘和初莫春兰王立江风益
关键词:SI衬底GANLED
室温下单个有机分子的取向调控
刘拉程刘娟陈秀陈烽杜鑫利刘小青王立
含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法
本发明公开了一种含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法,该半导体发光元件包含:一个含铬的支撑基板,层叠于支撑基板之上的第一欧姆电极,层叠于第一欧姆电极之上的铟镓铝氮(In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
江风益熊传兵方文卿王立
文献传递
MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究被引量:1
2002年
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品。实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系。同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果。
万凌云莫春兰彭学新熊传兵王立江风益
关键词:MOCVD透射光谱X射线双晶衍射PL谱薄膜生长
MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜被引量:1
2006年
采用常压MOCVD方法在Cu/S i(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析。实验结果表明:ZnO/Cu/S i(111)外延膜的性能与缓冲层的生长温度有一定关系。当缓冲层温度控制在400℃附近时ZnO外延膜C轴取向较为明显、晶粒大小较均匀、结构也更为致密,并且PL光谱中与缺陷有关的深能级发射峰也相对较弱。
程海英王立方文卿蒲勇郑畅达戴江南江风益
关键词:ZNOMOCVDX射线衍射光致发光
一种深度学习辅助的物质定量分析方法
本发明提供了一种深度学习辅助的物质定量分析方法,利用光源及驱动单元产生入射光波;利用光散射及物质作用单元与待测物质作用形成多模态散射光;利用多象限红外探测器通过N个独立光电探测芯片接收多模态散射光,并形成N个电压信号;利...
王启胜邱梦春陈君明成者王立
一种耐蚀性可调控的镁合金表面多级纳米涂层的制备方法
一种耐蚀性可调控的镁合金表面多级纳米涂层的制备方法,包含以下步骤:镁合金除氢、PE‑ALD工作腔准备、多级纳米涂层的制备、PE‑ALD工作腔还原。多级纳米涂层由单级纳米涂层单次或多次叠加构成,叠加次数N即为级数;其单级纳...
罗岚刘勇王立王雨郭锐
文献传递
一种Micro-LED全彩显示模组及制备方法
本发明公开了一种Micro‑LED全彩显示模组及制备方法,在一块驱动基板上集成有能自发白光的Micro‑LED阵列,每个像素均能独立地控制自发白光的Micro‑LED开关和亮度。这些自发白光的Micro‑LED被分成三组...
王立王伟吴小明刘志华郑畅达李璠莫春兰蒋恺
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