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莫春兰: 作品数：55 被引量：140H指数：9; 供职机构：南昌大学更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金电子信息产业发展基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形被引量：3: 2005年; 采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜。由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X射线双晶ω/2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角。结果表明外延层和衬底在应力作用下产生了取向差和晶格畸变,并且取向倾斜方向与衬底的切割倾角方向一致;高温直接生长的样品的取向差比有低温缓冲层样品更大,晶格畸变也更严重。高温直接生长的样品弯曲半径小而应力更大;实验测量的应力值和理论计算的热应力值之间存在差异,原因主要是晶格失配应力的存在。有缓冲层的样品由于能更好地弛豫晶格失配引入的应力,热应力所占整个残余应力的比例相对更大。; 郑畅达方文卿王立莫春兰蒲勇戴江南刘卫华江风益; 关键词：氧化锌 X射线双晶衍射

量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响: 2017年; 使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED。通过改变生长温度,生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍小的发光阱,研究了两类量子阱组合对含V形坑InG aN/GaN基蓝光LED效率衰减的影响。使用高分辨率X射线衍射仪和LED电致发光测试系统对LED外延结构和LED光电性能进行了表征。结果表明:限制阱靠近n层、发光阱靠近p层的新型量子阱结构,在室温75 A/cm^2时的外量子效率相对于其最高点仅衰减12.7%,明显优于其他量子阱结构的16.3%、16.0%、28.4%效率衰减,且只有这种结构在低温时(T≤150 K)未出现内量子效率随电流增大而剧烈衰减的现象。结果表明,合理的量子阱结构设计能够显著提高电子空穴在含V形坑量子阱中的有效交叠,促进载流子在阱间交互,提高载流子匹配度,抑制电子泄漏,从而减缓效率衰减、提升器件光电性能。; 吕全江莫春兰张建立吴小明刘军林江风益; 关键词：硅衬底量子阱结构

δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究被引量：5: 2006年; 用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si衬底GaN外延膜系列晶面的半峰全宽(FWHM)值。通过使用晶格旋转(Lattice-rotation)模型拟合,计算出样品的螺位错密度和刃位错密度。结果表明,δ掺杂Si处理后生长出的样品螺位错密度增大、刃位错密度减小,总位错密度有所减小。通过对未经δ掺杂处理和δ掺杂处理的GaN外延膜相应ω-2θ扫描半峰全宽值的比较,发现δ掺杂Si处理后生长出的样品非均匀应变较大;相应样品的LED电致发光光谱I、-V特性曲线显示δ掺杂后样品性能变好。; 程海英方文卿莫春兰刘和初王立江风益; 关键词：薄膜光学 GAN SI衬底 Δ掺杂

一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法: 本发明公开了一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法，该n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构包括：n型AlGaN层，金属电极层，其特征在于：在所述n型AlGaN层和金属电极层之间设有一个AlN界面层；所述的n型A...; 莫春兰邢啸泉吴小明王立李新华陈芳江风益; 文献传递

硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管被引量：16: 2015年; 经过近十年的探索,作者在国际上率先突破了硅衬底高光效Ga N基蓝光LED材料生长技术及其薄膜型芯片制造技术,制备了内量子效率和取光效率均高达80%的单面出光垂直结构Ga N基蓝光LED,并实现了产业化和商品化,成功地应用于路灯、球炮灯、矿灯、筒灯、手电和显示显像等领域.本文就相关关键技术进行全面系统地介绍.发明了选区生长、无掩模微侧向外延等技术,仅用100 nm厚的单一高温Al N作缓冲层,制备了无裂纹、厚度大于3μm的器件级Ga N基LED薄膜材料,位错密度为5×108 cm-2.发明了自成体系的适合硅衬底Ga N基薄膜型LED芯片制造的工艺技术,包括高反射率低接触电阻p型欧姆接触电极、高稳定性低接触电阻n型欧姆接触电极、表面粗化、互补电极、Ga N薄膜应力释放等技术,获得了高光效、高可靠性的硅基LED,蓝光LED(450 nm)在350 m A(35 A/cm2)下,光输出功率达657 m W,外量子效率为68.1%.; 江风益刘军林王立熊传兵方文卿莫春兰汤英文王光绪徐龙权丁杰王小兰全知觉张建立张萌潘拴郑畅达; 关键词：硅衬底高光效氮化镓发光二极管

一种多色Micro LED发光模组制备方法: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法，包括：S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1)外延片上定义发光像...; 王立吴小明刘虎李璠赵婕田婷芳饶郑刚莫春兰江风益

一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底: 本发明公开了一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底，包括：S1在硅基InxGayAl1‑x‑yN外延片通过刻蚀除去部分外延层，制备周期性Micro ...; 王立刘虎吴小明李璠赵婕田婷芳饶郑刚莫春兰江风益; 文献传递

硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究被引量：2: 2008年; 测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.; 熊传兵江风益王立方文卿莫春兰; 关键词：发光二极管电致发光

在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法: 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法，它是在硅衬底上形成台面和沟槽组成的图形结构。沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜互不相连。在生长完发光器件的叠层薄膜后，在每个台面的薄膜上或硅衬底背面制备欧姆电极。...; 江风益方文卿王立莫春兰刘和初周毛兴; 文献传递

带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法: 本发明公开了一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，所述有源层包括多层结构和发光单元，发光单元包括发射3‑10个发光波长的多量子...; 莫春兰刘军林江风益全知觉张建立王小兰王光绪吴小明; 文献传递