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刘如青

作品数:20 被引量:24H指数:4
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家部委预研基金更多>>
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地区

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41 条 记 录,以下是 1-10
吴洪江
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:微波单片集成电路 MMIC 砷化镓 宽带 单片微波集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高学邦
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:砷化镓 MMIC 微波单片集成电路 功率放大器 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏洪涛
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:微波单片集成电路 MMIC GAAS 多功能芯片 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘永强
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:低噪声放大器 MMIC 宽带 GAAS 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾志
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:GAAS 电路 多功能芯片 超低功耗 功率附加效率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩芹
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:多功能芯片 GAAS 电流复用 单片集成电路 宽带
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李富强
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:微波单片集成电路 MMIC 赝配高电子迁移率晶体管 数字衰减器 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔玉兴
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:谐振器 衬底 半导体 腔体 压电层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向玮
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:移相器 宽带 超低功耗 GAN_HEMT器件 功率附加效率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方园
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:MMIC 微波单片集成电路 宽带 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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