魏洪涛
- 作品数：42 被引量：57H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家部委资助项目国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 毫米波双刀双掷开关电路
- 一种毫米波双刀双掷开关电路，由四个输入、输出端口和四个输入、输出端口配套的选通控制电路组成，其关键在于连接四个输入、输出端口的支电路连接呈十字形，第一端口与第三端口在同一直路的两端、与处于另一直路的两端分别为第二端口与第...
- 魏洪涛高学邦吴洪江
- 文献传递
- X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
- 2023年
- 为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺寸降低30%以上;限幅器级间采用电感匹配结构,提升MMIC的工作带宽;LNA采用并联负反馈、源极电感负反馈以及电流复用拓扑结构,实现超低功耗和良好的稳定性。芯片采用整体最优化设计,在片测试结果表明,在工作频带内,限幅LNA MMIC芯片的增益为(25±0.2)dB(去除1 dB斜率),噪声系数小于1.6 dB,总功耗小于100 mW,耐功率大于46 dBm,该芯片尺寸为2.8 mm×2.4 mm,充分体现了集成工艺的性能和尺寸优势。
- 李远鹏魏洪涛刘会东
- 关键词：限幅器
- 控制电路及微波加热不燃烧烟具的控制方法
- 本发明提供一种控制电路及微波加热不燃烧烟具的控制方法。该方法包括：向所述控制电路中的开关电源发送测试使能脉冲，以便所述开关电源基于所述测试使能脉冲，产生脉冲信号；采集所述脉冲信号，并基于所述脉冲信号确定所述开关电源的占空...
- 魏洪涛李晓亮张飞李通宋俊魁蔡道民许春良
- 基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器
- 本发明适用微波单片集成电路技术领域，提供了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器，该宽带数字移相器包括顺序级联的180°移相单元、90°移相单元、22.5°移相单元、5.625°移相单元、11.25°移相单元和45...
- 谢媛媛吴洪江赵子润刘文杰王向玮刘如青魏洪涛李远鹏
- 具有静默功能的砷化镓单刀四掷开关及单刀八掷开关
- 本发明适用于微波单片集成电路技术领域，提供了一种具有静默功能的砷化镓单刀四掷开关及单刀八掷开关，该具有静默功能的砷化镓单刀四掷开关包括：译码单元的两个输入端分别连接第一控制逻辑信号输入端和第二控制逻辑信号输入端，译码单元...
- 吴永辉魏洪涛吴洪江
- 文献传递
- 基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关被引量：5
- 2010年
- GaAs PIN二极管具有开态电阻小、截止频率高以及功率容量大的特点,采用GaAs PIN二极管制作的开关插入损耗较小、隔离度较高、并且功率的线性较好。基于河北半导体研究所GaAs PIN工艺制造了一款单刀双掷开关芯片。该开关采用单级并联结构。通过微波在片测试,在小信号条件下,6～18 GHz范围内插入损耗小于1.45 dB、隔离度大于28 dB,输入输出反射损耗小于7.5 dB。把开关装入夹具中进行功率特性测试,在连续波输入功率37 dBm,12 GHz条件下测试输出功率仅压缩0.5 dB,具有非常好的功率特性。在4英寸(100 mm)晶圆上开关的成品率较高,具有非常好的工程应用前景。
- 刘会东魏洪涛吴洪江高学邦
- 关键词：单刀双掷砷化镓PIN二极管
- 微波加热天线及烟具
- 本发明提供一种微波加热天线及烟具。该微波加热天线包括：筒状的基材和设置在基材内的筒状的天线本体；天线本体包括馈点端、功率分配单元和多个微波辐射单元；馈点端通过功率分配单元，连接各个微波辐射单元；其中，各个微波辐射单元注入...
- 魏洪涛张飞李通李晓亮宋俊魁蔡道民许春良
- 基于GaAsPHEMT的6～10GHz多功能芯片被引量：7
- 2014年
- 介绍了一种基于GaAsPHEMT工艺的多功能芯片（MFC）设计。该芯片主要用于双向放大，具有低噪声性能和中等功率能力。综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动，选取合适的器件及其工作点、电路拓扑结构，使电路性能达到最优。采用大信号模型、噪声模型和开关模型联合仿真完成该芯片设计，并对版图进行电磁场仿真。测试结果表明，在6～10GHz频带内：小信号增益大于18．5dB，增益平坦度小于±0．2dB，输入／输出电压驻波比小于1．4：1，噪声系数小于2．2dB，1dB压缩点输出功率大于14dBm。芯片尺寸为2．4mm×2．6mm。
- 徐伟吴洪江魏洪涛周鑫
- 关键词：砷化镓单片微波集成电路大信号模型
- 一种实现超宽带GaN毫米波放大器的设计
- 本文基于0.15μm GaN HEMT工艺制作了一款毫米波超宽带放大器。该放大器采用两级级联放大结构,提高电路增益;每级采用分布式结构,显著拓展工作带宽。经过测试放大器在18GHz～40GHz频率范围内增益达到10dB以...
- 刘会东朱宝石朱思成魏洪涛
- 关键词：宽带毫米波放大器氮化镓
- 3mm单平衡混频器芯片被引量：4
- 2015年
- 为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用In P高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片。该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对（APDP）和三线耦合Marchand巴伦结构,在获得精确的肖特基二极管非线性模型和巴伦电磁场S参数模型的基础上,对混频器进行了电路设计。最终获得了良好的工作带宽、变频损耗与隔离度指标,在片测试结果显示,该芯片射频、本振频率为82-100 GHz,变频损耗小于9 d B,本振（LO）-射频（RF）隔离度大于20 d B,中频带宽为0.1-18 GHz,整体芯片尺寸为1.1 mm×1.0 mm。
- 赵宇刘永强魏洪涛
- 关键词：磷化铟MM单平衡混频器肖特基二极管
