张波
- 作品数：4 被引量：13H指数：3
- 供职机构：上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及高温测试教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 退火处理对ITO和ITO：Zr薄膜性能的影响被引量：3
- 2008年
- 利用磁控溅射在室温条件下沉积ITO薄膜和ITO:Zr薄膜,对比研究在空气中退火处理对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响。结果表明,Zr的掺杂促进了(400)晶面的取向,随着退火温度的升高,薄膜表面颗粒增大,表面粗糙度有所降低。室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,随着退火温度的升高,ITO和ITO:Zr薄膜的方阻都表现为先降后升的趋势,ITO:Zr薄膜在较低的退火温度下可见光透过率就可达到80%以上,直接跃迁模型确定的光学禁带宽度Eg呈现了先升后降的变化。ITO:Zr薄膜比ITO薄膜显示了更高的效益指数,揭示了ITO:Zr薄膜具有更好的光电性能。
- 张波董显平徐晓峰赵培吴建生
- 关键词：ITO薄膜磁控溅射退火处理光电性能
- 衬底温度对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响被引量：4
- 2008年
- 利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同衬底温度下ITO和ITO∶Zr薄膜性能的变化。XRD和AFM分析表明,ITO∶Zr比ITO薄膜具有更好的晶化程度和较低的表面粗糙度,Zr的掺入促进薄膜晶化的同时导致了(222)晶面向(400)晶面取向的转变。室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,方阻由260.12Ω降为91.65Ω,光学透过率也有所上升。随着温度的上升,方阻可达到10Ω,薄膜也表现出明显的"B-M"效应,通过直接跃迁的模型得出ITO∶Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带。共溅法制备的ITO∶Zr薄膜比传统的ITO薄膜展现了更好的综合性能。
- 张波董显平吴建生
- 关键词：ITO薄膜掺杂磁控溅射衬底温度
- 共溅射法制备ITO：Zr薄膜及其特性研究被引量：3
- 2008年
- 采用ITO靶和Zr靶共溅射在玻璃衬底上沉积了ITO∶Zr薄膜,研究了衬底温度、氧流量对ITO∶Zr薄膜性能的影响。表征和对比了ITO∶Zr薄膜晶体结构和表面粗糙度的变化。ITO∶Zr薄膜在低温生长时就可以得到良好的光电性能,衬底温度的提高显著改善了薄膜的光电性能;一定范围的氧流量也可以改善薄膜的性能,但过量的氧却使得ITO∶Zr薄膜的光电性能变差。透射谱表明各参数的变化引起了明显的"Burstin-Moss"效应。当优化溅射条件为工作气压0.5Pa、氧流量0.3sccm、直流溅射功率45W(ITO靶)和射频功率10W(Zr靶)、沉积速率8nm/min和一定的衬底温度时,可以获得方阻10～20Ω/sq和可见光透过率85%(含基底)以上的ITO:Zr薄膜。
- 张波董显平徐晓峰赵培吴建生
- 关键词：ITO薄膜磁控溅射衬底温度氧流量
- 氧流量对ITO和ITO∶Zr薄膜性能的影响被引量：4
- 2008年
- 利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同氧流量下ITO和ITO∶Zr薄膜性能的变化。Zr的掺入促进薄膜晶化的同时也导致了(400)晶面取向的加强,ITO∶Zr比ITO薄膜具有较低的表面粗糙度。氧流量的上升降低了方阻和载流子浓度,ITO∶Zr薄膜具有更高的载流子浓度。一定范围的氧流量可以改善薄膜的可见光透过率,但过量的氧却使得薄膜的光学性能变差。通过直接跃迁的模型得出ITO∶Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带。共溅法制备的ITO∶Zr薄膜比ITO薄膜表现出更好的光电性能。
- 张波董显平王新建吴建生
- 关键词：ITO薄膜锆磁控溅射氧流量
