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谢长生

作品数：11 被引量：80H指数：5
供职机构：华中理工大学材料科学与工程学院材料科学与工程系更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇类金刚石
  • 2篇气相沉积
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇激光
  • 2篇合金
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子喷涂
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子湮没
  • 1篇熔覆
  • 1篇数据库
  • 1篇碳膜
  • 1篇陶瓷层
  • 1篇凝固
  • 1篇凝固特性
  • 1篇喷涂
  • 1篇重熔
  • 1篇钴基

机构

  • 11篇华中理工大学
  • 1篇武汉工业大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 11篇谢长生
  • 5篇程宇航
  • 5篇吴一平
  • 5篇乔学亮
  • 2篇王爱华
  • 2篇朱蓓蒂
  • 1篇崔昆
  • 1篇宋武林
  • 1篇张以增
  • 1篇曾晓雁
  • 1篇曾大文
  • 1篇邹柳娟
  • 1篇翁惠民
  • 1篇张乐福
  • 1篇范长刚
  • 1篇孙育斌
  • 1篇胡军辉

传媒

  • 4篇激光技术
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇功能材料
  • 1篇材料工程
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇金属热处理学...

年份

  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 5篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
rf-dc PECVD制备的a-C∶H(N)薄膜的结构分析被引量：1
1999年
采用射频－直流等离子增强化学气相沉积技术用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２气的混合气体制备出ａ－Ｃ∶Ｈ（Ｎ）薄膜，用ＴＥＭ、红外谱、ＸＰＳ等多种分析测试手段研究了薄膜的结构。结果表明ａ－Ｃ∶Ｈ（Ｎ）薄膜中Ｎ与Ｃ原子可形成ＮＣ、ＣＮ和ＮＣ键，而碳氢原子主要以ＣＨ２基的形式存在。且薄膜中存在具有理想化学配比的Ｃ３Ｎ４相。
程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生
关键词：PECVD氮化钛
RF－PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理被引量：3
1997年
本文综合评述了用射频等离子体化学气相沉积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。着重介绍射频ＣＨ＿４等离子体中，各种离子和中性基因的产生和传输机理，以及等离子体与材料表面反应的动力学基本理论。
程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生
关键词：RF-PECVD类金刚石碳膜
真空激光熔覆的研究被引量：3
1997年
真空激光熔覆避免了大气中有害气体对熔池的侵入，使熔覆层中的显微缺陷和开裂敏感性减小，提高了熔覆层的质量；并且真空熔覆的工艺特点与大气下的激光熔覆不完全相同；其它工艺条件相同时，真空激光熔覆的尺寸（宽度Ｗ和厚度Ｈ）明显小于大气下熔覆层的尺寸。
宋武林朱蓓蒂黄为谢长生崔昆
关键词：激光技术
激光填料焊接技术的发展现状及展望被引量：11
1997年
综述了激光填料焊接技术的分类与特点，阐述了激光填丝焊的优点与发展现状以及存在的问题。
胡军辉曾晓雁谢长生
关键词：激光焊焊缝
激光技术改善等离子喷涂陶瓷层性质的研究与进展被引量：12
1995年
利用激光技术改善等离子喷涂陶瓷层性质的研究近年来在国内外得到了广泛的关注并取得了一定的进展，将有利于拓宽等离子喷涂陶瓷层在汽车发动机、化学工业等领域的应用范围。本文从采用激光技术增加等离子喷涂陶瓷层的致密度，改善组织均匀性和相结构，提高陶瓷层的硬度、耐磨、抗蚀和抗热震等性能方面，对国内外最新研究成果进行了综述，并指出了存在的问题和发展趋势。
王爱华谢长生朱蓓蒂陶曾毅
关键词：激光等离子喷涂陶瓷层改性
选材系统的设计与实现被引量：1
1997年
介绍一个基于材料科学数据库的选材系统。该系统按照开放性的原则设计 ,将材料科学数据分为三大部分 :仅与材料成分有关的基本材料数据 ,材料加工和应用过程中产生的材料加工工艺和性能数据 ,材料产品的生产供应等商业信息。通过将材料加工方法和加工后获得的性能数据在材料科学数据库系统中的登记 ,建立了材料、加工方法及加工后获得的性能之间的关系 ,实现了材料选择工艺设计同步进行的功能 ,从而为该系统成为 CAD/ CAE/ CAM/ CIMS的支撑系统奠定了基础。
张乐福谢长生张以增
关键词：数据库
类金刚石膜的结构与性能研究被引量：22
1997年
用激光Ｒａｍａｎ谱和ＸＲＤ谱对用直流射频等离子体化学气相沉积法制备的类金刚石膜的结构进行了分析，并研究了工艺参数对膜的沉积速率、内应力和直流电阻率的影响。结果表明：类金刚石膜是由ｓｐ２和ｓｐ３键组成的非晶态碳膜，当负偏压高于３００Ｖ时，膜中ｓｐ３／ｓｐ２键的比值随负偏压的升高而降低。类金刚石膜的沉积速率与负偏压Ｖｂ成正比。膜内存在１～４．７ＧＰａ的压应力，随负偏压的升高而降低。膜的电阻率随负偏压的升高先增后降，这与膜中ｓｐ２／ｓｐ３的比值相对应。
程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生
关键词：类金刚石膜化学气相沉积金刚石薄膜
类金刚石膜结构的红外分析被引量：12
1998年
采用直流－射频等离子化学气相沉积方法制备出类金刚石薄膜，用Ｆｏｕｒｉｅｒ透射谱和吸收谱对类金刚石膜的结构进行了研究．类金刚石膜中大部分碳原子以ｓｐ３组态存在．结合在膜中的氢原子与碳原子之间可形成ｓｐ３Ｃ—ＣＨ２，ｓｐ３Ｃ—ＣＨ３和ｓｐ２Ｃ—ＣＨ２基，其含量以ｓｐ３Ｃ—ＣＨ２基为主．增加Ａｒ气分压与提高极板负偏压对类金刚石膜结构产生的影响是相似的，增大极板负偏压或Ａｒ气的含量将减小类金刚石膜中ｓｐ３／ｓｐ２比值和Ｈ的含量以及ＣＨ２基的含量，同时增加薄膜的交联，减少聚合相的含量．
程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生孙育斌
关键词：类金刚石薄膜红外光谱气相沉积
a-C:H(N)薄膜的慢正电子分析被引量：1
1999年
采用C2H2和N2的混合气体在单晶Si衬底上用射频一直流等离子化学气相沉积法制备a－C：H（N）薄膜，用Fourier红外谱研究了a-C：H（N）薄膜的结构。用慢正电子湮没技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布以及N的百分含量对薄膜中缺陷浓度和缺陷类型的影响。Fourier红外测试结果表明，a－C：H（N）薄膜中氮含量随混合气体中N2百分含量的升高而增大，薄膜中碳氮原子形成C≡N键。慢正电子分析表明．单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度，类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低，且缺陷均匀分布，薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层，而膜一基之间存在一很宽的界面层。a-C：H（N）薄膜的缺陷浓度随N含量的增加而增大，但含饲量不改变薄膜中的缺陷类型。
程宇航吴一平邹柳娟陈建国乔学亮谢长生翁惠民
关键词：慢正电子束正电子湮没
铝合金表面激光熔覆的新进展被引量：14
1996年
本文总结了铝合金表面激光熔覆的特点，阐明了激光熔覆的合金体系及工艺方法，分析了各种熔覆层及界面的组织特征及性能。
范长刚王爱华谢长生
关键词：铝合金激光熔覆
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共2页<12>
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