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吴一平

作品数：42 被引量：261H指数：10
供职机构：华中理工大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域：理学金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 13篇理学
  • 12篇金属学及工艺
  • 10篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 5篇冶金工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 8篇类金刚石
  • 7篇离子镀
  • 5篇多弧离子镀
  • 5篇N
  • 4篇模具钢
  • 4篇金刚石薄膜
  • 4篇飞机
  • 3篇氮化
  • 3篇硬材料
  • 3篇制备及性能
  • 3篇熔剂
  • 3篇气相沉积
  • 3篇热变形
  • 3篇金属
  • 3篇类金刚石薄膜
  • 3篇合金
  • 3篇PBGA
  • 3篇铝
  • 3篇BGA
  • 3篇掺杂

机构

  • 31篇华中理工大学
  • 9篇华中科技大学
  • 3篇首都师范大学
  • 2篇中国工程物理...
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇湖北医科大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇西北工业大学
  • 1篇武汉工业大学

作者

  • 42篇吴一平
  • 27篇乔学亮
  • 17篇程宇航
  • 14篇陈建国
  • 8篇孙培祯
  • 7篇谢长生
  • 6篇陈建国
  • 5篇谢长生
  • 4篇徐明英
  • 3篇王卫宁
  • 3篇张存林
  • 3篇王朝阳
  • 3篇姜涛
  • 2篇赵建生
  • 2篇邹柳娟
  • 2篇黄为
  • 2篇翁惠民
  • 2篇许德胜
  • 1篇徐强
  • 1篇周宏

传媒

  • 4篇功能材料
  • 3篇金属热处理
  • 3篇无机材料学报
  • 3篇材料导报
  • 3篇轻金属
  • 3篇兵器材料科学...
  • 3篇华中理工大学...
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇理化检验（物...
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇表面技术
  • 1篇计算机与应用...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇激光杂志
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2000
  • 9篇1999
  • 7篇1998
  • 4篇1997
  • 7篇1996
  • 6篇1995
  • 2篇1994
  • 5篇1993
  • 1篇1992
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
化学镀Ni-P镀层表面脆性的研究被引量：2
1993年
用刚性球体压入法并结合声发射技术测定了化学镀Ni-P镀层的表面脆性.试验结果指出,Ni-P镀层的表面脆性随热处理的温度、时间以及基体硬度的增加而降低,临界载荷P_c反映出了化学镀Ni-P镀层表面脆性的变化规律,但仍属定性范围;临界应力σ_(rc)能定量地反映化学镀Ni-P镀层的表面脆性.
乔学亮许卫华吴一平孙培祯
关键词：化学镀镍磷合金镀层
微波烧结技术及其进展被引量：61
1998年
本文介绍了微波烧结的原理、设备、工艺及其影响因素。概述了微波烧结的特点及微波加速烧结进程的机理。
朱文玄吴一平徐正达陈建国徐镜廉潘晓霞
关键词：微波加热微波烧结陶瓷材料
多弧镀Ti—Al机械复合靶的设计制备及应用被引量：1
1997年
陈建国乔学亮吴一平
关键词：多弧离子镀
电子封装器件BGA的实时全息干涉实验研究
90年代以来，表面封装器件(SMD)向高密度化、精密化、薄型化和高集成化方向快速地发展。在研究这些新型电子封装的应力－－应变实验技术中，全息干涉测量方法因其高灵敏度、高精度、非接触性、全场分析，可直接获取离面位移等优点而...
王卫宁张存林吴一平王朝阳
关键词：PBGA热变形
文献传递网络资源链接
rf-dc PECVD制备的a-C∶H(N)薄膜的结构分析被引量：1
1999年
采用射频－直流等离子增强化学气相沉积技术用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２气的混合气体制备出ａ－Ｃ∶Ｈ（Ｎ）薄膜，用ＴＥＭ、红外谱、ＸＰＳ等多种分析测试手段研究了薄膜的结构。结果表明ａ－Ｃ∶Ｈ（Ｎ）薄膜中Ｎ与Ｃ原子可形成ＮＣ、ＣＮ和ＮＣ键，而碳氢原子主要以ＣＨ２基的形式存在。且薄膜中存在具有理想化学配比的Ｃ３Ｎ４相。
程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生
关键词：PECVD氮化钛
类金刚石碳膜的制备工艺被引量：8
1998年
用射频 -直流等离子体化学气相沉积法制备出类金刚石膜 ,用多因素和单因素正交试验设计方法对类金刚石膜的沉积工艺进行了研究。结果表明 ,极板偏压、真空度和气体成分是影响膜沉积速率的主要因素。沉积速率与 PV成正比 ,且随反应气体浓度单调增加 ,但当 C2 H2 浓度低于 10 %时 ,几乎不能成膜。
程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生
关键词：类金刚石碳膜正交设计MPCVD
立方氮化硼（c－BN）膜的制备、性能及应用被引量：8
1996年
本文综合分析了立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）膜的制备方法，介绍了ｃ－ＢＮ膜的结构及其机械、电学、光学和热学性能。最后总结了ｃ－ＢＮ膜在机械和电子领域的应用概况。
程宇航吴一平陈建国乔学亮孙培祯
关键词：C-BN立方氮化硼超硬材料
a-C:H(N)薄膜的制备及性能被引量：2
1999年
采用射频直流等离子化学气相沉积法用 Ｃ２ Ｈ２ 、 Ｎ２ 和 Ａｒ 组成的混合气体制备ａ Ｃ： Ｈ （ Ｎ） 薄膜， 研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性实验结果表明， ａ Ｃ： Ｈ （ Ｎ） 薄膜的沉积速率随混合气体中 Ｃ２ Ｈ２ 含量的增加而增大， 当混合气体中 Ｎ２ 含量增加到７５ ％ 时， 薄膜的含氮量增大到９０９ ％ 薄膜中 Ｃ、 Ｎ 原子以 Ｃ≡ Ｎ 和 Ｃ Ｎ 键的形式存在，
程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生许德胜
关键词：化学气相沉积电阻率
RF－PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理被引量：3
1997年
本文综合评述了用射频等离子体化学气相沉积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。着重介绍射频ＣＨ＿４等离子体中，各种离子和中性基因的产生和传输机理，以及等离子体与材料表面反应的动力学基本理论。
程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生
关键词：RF-PECVD类金刚石碳膜
（Ti、AI）N、TiN镀层的冷热疲劳性能研究被引量：16
1995年
研究了多弧离子镀（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ镀层的冷热疲劳性能并与ＴｉＮ镀层进行了比较，结果表明，（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ镀层具有高的热疲劳抗力和高温抗氧化能力，在７００℃以下的热循环过程中，镀层的热疲劳过程是由热应力的作用下膜层的开裂及基体材料的氧化所引起的，试件的表面质量对镀层的热疲劳性能有重要的影响。
赵建生徐强吴一平孙培祯
关键词：离子镀表面镀覆镀层
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