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郝建民

作品数：23 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：化学工程理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 12篇单晶
  • 9篇氮化
  • 9篇氮化铝
  • 9篇籽晶
  • 7篇单晶生长
  • 5篇碳化硅
  • 4篇坩埚
  • 4篇高温
  • 4篇高温炉
  • 3篇导模法
  • 3篇氧化镓
  • 3篇碳化钽
  • 3篇晶片
  • 3篇晶体
  • 3篇硅单晶
  • 3篇衬底
  • 2篇挡板
  • 2篇等径
  • 2篇压平
  • 2篇摇摆曲线

机构

  • 22篇中国电子科技...

作者

  • 22篇郝建民
  • 12篇王英民
  • 9篇张丽
  • 5篇王健
  • 3篇王香泉
  • 3篇郭俊敏
  • 3篇洪颖
  • 3篇王利杰
  • 2篇杨东海
  • 2篇高飞
  • 1篇冯玢
  • 1篇何秀坤
  • 1篇严如岳
  • 1篇练小正
  • 1篇李晖

年份

  • 4篇2024
  • 6篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2019
  • 3篇2015
  • 3篇2011
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法及生长模具
本发明涉及一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法及生长模具，将模具放置在坩埚中，模具两侧四个支撑板抵住坩埚内壁，坩埚中装入氧化镓原料，然后整体放置在加热器的中，将籽晶放置在籽晶杆中，籽晶杆提拉方向为[010]；抽真空，充保...
王英民霍晓青王健张胜男李宝珠郝建民程红娟周金杰
用于导模法大尺寸氧化镓单晶等径生长的方法及热场结构
一种用于导模法大尺寸氧化镓单晶等径生长的方法及热场结构，有孪晶氧化镓晶体制备，将籽晶杆提拉方向与[010]方向平行，生长有孪晶氧化镓晶体；对有孪晶的晶体的单晶区域进行定向切割，得到第一次等径生长的籽晶；第一次等径生长，将...
张胜男霍晓青王英民王健于凯周金杰张弛李宝珠郝建民
一种用于实现氮化铝单晶生长所需温度分布的方法
本发明公开了一种用于实现氮化铝单晶生长所需温度分布的方法。在采用的高温炉中没有设置双加热器热场条件下，采取在高温炉中垂直放置圆形加热器，同轴放置钨坩埚和圆形钨套筒，圆形钨套筒和钨坩埚的底部与圆形加热器垂直方向的中部在同一...
赖占平王增华程红娟王英民郝建民张丽殷利迎史月增
利于导模法3-4英寸β相氧化镓单晶生长等径方法
一种利于导模法3‑4英寸β相氧化镓单晶生长等径方法，坩埚和模具清洗晾干；放进处理炉抽真空、加热、保温后取出；将模具固定在坩埚中，放入Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>原料后放入单晶生长炉，抽真空、充C...
王英民霍晓青张胜男王健周传新郝建民李宝珠高飞周金杰
一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统
本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，包括：真空室、机械泵、分子泵、真空计、气动阀、质量流量控制计和针阀；进一步地，所述提纯及压力控制系统还包括：布置在机械泵与真空室间的压力控制系统，所述压力控制系...
王利杰郝建民王香泉孟大磊洪颖郭俊敏
文献传递
一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽坩埚制备方法
本发明公开了一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽坩埚制备方法。将圆形钽桶压在钽片上，外部裹上一至两圈钽箔，再紧密套在石墨环托里进行加热碳化，碳化过程中，圆形钽桶、钽片、钽箔三者发生膨胀，在被石墨环托束缚的情况下紧密结合在...
史月增赖占平程红娟郝建民张丽王增华殷利迎王英民
一种氮化铝单晶生长用复合籽晶托的制备方法
本发明提供了一种氮化铝单晶生长用复合籽晶托的制备方法，复合籽晶托的结构是由钨厚片、钨薄片和烧结固熔层组成，制备方法如下：将组成烧结固熔层的混合粉体添加到水溶性溶剂和分散剂中，搅拌配置成混合粉体悬浮液；然后在钨厚片上沉积一...
张丽王增华程红娟殷利迎史月增郝建民赖占平王英民
一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法
本发明公开了一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法，该方法将一个倒置的坩埚固定在PVT炉内，将原料块放在形状与挡板中心孔形状相同且开有中心孔的原料支撑板上；用支撑杆将原料支撑板自坩埚下方开口处送至上方，并保持...
殷利迎赖占平程红娟张丽王增华史月增郝建民王英民
一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽衬底制备方法
本发明公开了一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽衬底制备方法。将钽片夹在石墨纸中间，再夹在石墨片中间，然后放置在双温区石墨高温加热炉中，按三步升温加热过程进行碳化，将碳化后的钽片进行磨抛，然后再将钽片夹在石墨纸中间，再夹...
史月增赖占平程红娟郝建民张丽王增华殷利迎王英民
显示器件用低阻碳化硅单晶材料产业化技术开发
郝建民严如岳冯玢王利杰何秀坤王香泉孟大磊郭俊敏
显示器件用低阻碳化硅单晶材料产业化技术开发项目，来自于2008年天津市科技支撑计划重大项目专项，是由中国电子科技集团公司第四十六研究所承担的，项目负责人为郝建民。该项目在两年的执行期内投资了1295万元，重点针对如何提高...
关键词：
关键词：抛光片显示器件
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