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张丽

作品数:45 被引量:12H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司更多>>
发文基金:安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
相关领域:化学工程电气工程理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 42篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 6篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 26篇氮化
  • 22篇氮化铝
  • 19篇籽晶
  • 11篇单晶
  • 9篇坩埚
  • 9篇
  • 8篇高温
  • 7篇碳化硅
  • 7篇碳化钽
  • 6篇单晶生长
  • 6篇晶体
  • 6篇高温炉
  • 5篇晶体生长
  • 4篇碳化过程
  • 4篇籽晶生长
  • 4篇炉内
  • 4篇加热器
  • 3篇形核
  • 3篇烟囱效应
  • 3篇晶片

机构

  • 45篇中国电子科技...
  • 2篇合肥工业大学
  • 1篇安徽建筑工业...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 45篇张丽
  • 18篇王英民
  • 15篇齐海涛
  • 9篇高飞
  • 9篇李晖
  • 9篇郝建民
  • 4篇王磊
  • 4篇徐世海
  • 4篇王利杰
  • 2篇孙兵
  • 1篇史月增
  • 1篇李响
  • 1篇张丽
  • 1篇朱达荣
  • 1篇程红娟
  • 1篇李戈杨
  • 1篇洪颖

传媒

  • 1篇合肥工业大学...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇中国电子科学...

年份

  • 8篇2024
  • 11篇2023
  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2007
  • 1篇2006
45 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种大尺寸氮化铝籽晶及其生长方法
本发明涉及氮化铝单晶生长技术领域,具体公开一种大尺寸氮化铝籽晶及其生长方法。本发明使用钨电阻炉作为生长系统,以钨作为衬底,以氮化铝烧结体作为原料,生长系统纯净,原材料杂质含量低;使氮化铝晶体在粗糙度较高的凹槽处自发形核,...
王增华赖占平程红娟张弛金雷张丽殷利迎史月增
一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂及其制备方法
本发明涉及一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂及其制备方法。该粘结剂按重量百分比组成:氮化铝为30~50%、铝为10~30%、异丙醇为10~20%和去离子水为0~50%。制备方法是:按重量百分比称取氮化铝、铝粉、异丙醇...
张丽齐海涛史月增程红娟徐永宽
文献传递
光纤比色测温传感器的原理及设计被引量:7
2006年
文章阐述了辐射测温中比色测量的基本原理,在此基础上提出了一种适用于燃气轮机工作温度测量的新型光纤温度传感器的结构设计和工作原理;论述了运用比色测量法可全面克服系统中的光路振动、解决光纤温度传感器中的不稳定问题,提高了系统的温度精度和稳定性;给出了用比色法光纤温度测量的实验结果,证明了理论研究的正确性。
朱达荣孙兵张丽
关键词:光纤辐射测温
一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法
本发明公开了一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法。该方法依照以下步骤进行:(A)石墨加热器预处理;(B)金属箔预处理;(C)金属箔贴附;(D)高温热处理。采取本方法可以将石墨加热器完美转化成金属碳化物-石墨复合材质石墨...
齐海涛张丽史月增孟大磊窦瑛张皓张政徐所成赖占平
文献传递
一种快速区分氮化铝体单晶极性面的方法与装置
本发明公开了一种快速区分氮化铝体单晶极性面的方法及装置,将氮化铝晶片A极性面向上平放在铜片上;用表笔探针对氮化铝晶片的A极性面施加外力;电荷信号通过电荷放大器中的输入端输入到电荷放大器内,并通过输出端输出电压信号并显示在...
赖占平张丽齐海涛程红娟李宝珠王增华闫锋张飞洋陈建丽史月增
文献传递
一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法
本发明公开了一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法。该方法依照以下步骤进行:(A)石墨加热器预处理;(B)金属箔预处理;(C)金属箔贴附;(D)高温热处理。采取本方法可以将石墨加热器完美转化成金属碳化物-石墨复合材质石墨...
齐海涛张丽史月增孟大磊窦瑛张皓张政徐所成赖占平
文献传递
一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法
本发明涉及一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法。该方法是将耐高温且不与碳反应的支架放置在石墨保温层上,支架有一个直径大于氮化硼圆桶直径的圆盘,用以减少石墨保温层中的碳向钨坩埚扩散。将钨坩埚放置在支架圆盘中心上,将氮化硼圆桶放...
史月增徐永宽齐海涛张丽
文献传递
一种用于实现氮化铝单晶生长所需温度分布的方法
本发明公开了一种用于实现氮化铝单晶生长所需温度分布的方法。在采用的高温炉中没有设置双加热器热场条件下,采取在高温炉中垂直放置圆形加热器,同轴放置钨坩埚和圆形钨套筒,圆形钨套筒和钨坩埚的底部与圆形加热器垂直方向的中部在同一...
赖占平王增华程红娟王英民郝建民张丽殷利迎史月增
一种实现具有自剥离功能半导体材料生长的边缘保护方法
本发明公开了一种实现具有自剥离功能半导体材料生长的边缘保护方法,所述方法包括:在半导体生长衬底上制备自剥离插入层;在具有自剥离插入层的衬底上放置全覆盖衬底边缘的边缘保护环;在具有所述边缘保护环的衬底上生长氮化物半导体材料...
徐永宽杨丹丹张嵩程红娟李晖徐所成张丽王迪兰飞飞张政史月增
文献传递
一种在无下辅热钨加热器的高温炉中实现下辅热的方法
本发明公开了一种在无下辅热钨加热器的高温炉中实现下辅热的方法,该方法采取在高温炉中垂直放置一个圆形加热器,在圆形加热器内同轴放置一个圆形钨支撑件,圆形钨支撑件的下端与圆形加热器下端处于同一水平面上,在圆形钨支撑件上放置钨...
王英民王增华程红娟张丽史月增殷利迎
共5页<12345>
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