于妍
- 作品数：11 被引量：2H指数：1
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- 一种去除单晶硅片酸腐蚀斑痕的方法
- 本发明公开了一种去除单晶硅片酸腐蚀斑痕的方法。在单晶硅片经过酸腐蚀之后，浸入由氨水、双氧水和去离子水配制的水溶液中，进行超声清洗，以去除硅片表面斑痕。水溶液中氨水、双氧水、去离子水的比例为1:1:(5‑20)；水溶液温度...
- 田原于妍王云彪陈亚楠杨召杰
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- 一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法
- 本发明公开了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液和腐蚀方法，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。本发明还提供了磷化铟单晶片的化学腐蚀方法，...
- 林健赵权刘春香吕菲杨洪星于妍佟丽英
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- 一种改善磷化铟单晶切割片翘曲度的方法
- 本发明公开了一种改善磷化铟单晶切割片翘曲度的方法，该方法使用酸性腐蚀液对磷化铟切割片进行腐蚀，腐蚀过程分为两次，每次腐蚀时间为1min，每次腐蚀后放入去离子水中冲洗，两次腐蚀去除总量为2-3μm。酸性腐蚀液由硫酸、双氧水...
- 吕菲于妍赵权杨洪星林健刘春香张伟才
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- 一种半导体材料的激光打标方法
- 本发明涉及一种半导体材料的激光打标方法，具体步骤包括一、根据半导体材料的直径设计夹具,二、将夹具放到激光打标机的工作台上，激光打标机检测夹具的位置并固定；三、将半导体材料放到夹具上，并使半导体材料的参考面及圆柱面贴紧在数...
- 杨洪星陈晨何远东赵权武永超吕菲于妍陈亚楠
- 一种高亮度酸腐蚀硅片的制备方法
- 本发明公开了一种高亮度酸腐蚀硅片的制备方法。该方法包括研磨工艺和酸腐蚀工艺，先采用粗粒径的白刚玉进行首次研磨，研磨液质量比为水：白刚玉：助磨剂=2:1:0.2；再采用细粒径的白刚玉进行二次研磨，研磨液质量比为水：白刚玉：...
- 田原王云彪窦连水常耀晖吕菲于妍李静坤
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- 一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺
- 本发明公开了一种高平坦度的硅腐蚀片加工工艺。其步骤是：A.采用平均粒径为7.2±0.6μm的平板状氧化铝进行晶片的双面研磨，去除40μm以上；B.采用硝酸：氢氟酸：冰乙酸的混合的酸性腐蚀液在常温下进行硅片腐蚀，去除25....
- 常耀辉于妍王云彪吕菲武永超赵权
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- 一种半导体材料的激光打标方法
- 本发明涉及一种半导体材料的激光打标方法，具体步骤包括一、根据半导体材料的直径设计夹具,二、将夹具放到激光打标机的工作台上，激光打标机检测夹具的位置并固定；三、将半导体材料放到夹具上，并使半导体材料的参考面及圆柱面贴紧在数...
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- InP单晶片翘曲度控制技术研究被引量：2
- 2014年
- InP单晶片受热场及机械损伤的作用而产生翘曲形变,这种形变在外延过程中会产生滑移线,也会影响外延层厚度均匀性,最终影响外延质量,因此必须采取措施对InP衬底的翘曲度加以控制。切割工艺是影响晶片翘曲度的关键,但受InP单晶特性及切割工艺自身的限制,InP切片的翘曲度仍保持在一个较高的水平,不能满足高质量外延的要求,需要采取措施进一步降低翘曲度。讨论了用化学腐蚀方法降低InP单晶切片翘曲度,研究了化学腐蚀液的组分、温度及腐蚀去除量对InP单晶片翘曲度的影响,综合工艺的稳定性和实际操作的便利性及晶片翘曲度的实际测试结果,确定了降低InP单晶片翘曲度的适宜工艺。
- 吕菲刘春香于妍
- 关键词：INP翘曲度
- 一种防腐蚀恒温加热炉
- 本发明涉及一种防腐蚀恒温加热炉，包括电热炉、保温杯、烧杯、温度传感器，保温杯为采用PVDF材料制成的圆周面具有空气隔热层的杯体，其杯体内直径略大于烧杯外直径，杯体内壁上固定温度传感器，电热炉为红外反射加热方式的加热体，带...
- 龚一夫张贺强冯奎陈亚楠耿莉于妍张伟才
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- 一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法
- 本发明提供一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法，第一步、将锗切割片进行机械研磨，通过锗片研磨加工去除切割损伤的同时对锗片的翘曲方向进行初步控制；第二步、采用酸腐蚀机对锗研磨片进行酸腐蚀，通过酸腐蚀过程去除锗片的研磨损伤，优化锗...
- 杨静韩焕鹏张伟才王雄龙于妍杨洪星陈晨李聪索开南
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