吕菲
- 作品数：34 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺水利工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种半导体材料的激光打标方法
- 本发明涉及一种半导体材料的激光打标方法，具体步骤包括一、根据半导体材料的直径设计夹具,二、将夹具放到激光打标机的工作台上，激光打标机检测夹具的位置并固定；三、将半导体材料放到夹具上，并使半导体材料的参考面及圆柱面贴紧在数...
- 杨洪星陈晨何远东赵权武永超吕菲于妍陈亚楠
- 一种锗单晶片用去离子水的冷却装置及冷却方法
- 本发明涉及一种锗单晶片用去离子水的冷却装置及冷却方法，在有保温层的容器中靠近内壁的位置，数根冷却管和数根去离子水管互相交错螺旋筒状盘旋在一起，并数根冷却管和数根去离子水管的出口端和入口端分别穿过容器壁引到容器外，分别与冷...
- 刘玉玲王云彪冯奎武永超吕菲张贺强杨玉梅郭建同
- 文献传递
- 一种砷化镓晶片清洗方法
- 本发明公开了一种砷化镓晶片清洗方法，包括以下基本步骤：1)采用第一溶液进行第一次兆声清洗；2)第一次漂洗；3)第一次干燥处理；4)用紫外臭氧清洗机清洗；5)采用第二溶液进行第二次兆声清洗；6)第二次漂洗；7)第二次干燥处...
- 徐永宽杨洪星刘春香吕菲
- 文献传递
- 半导体材料晶片加工应力控制研究
- 2009年
- 晶片在加工过程中要经过滚磨、切割、倒角等工序才能实现由单晶锭到单晶片的过程,并保持一定的直径和获得参考面。这一系列的机械加工过程中会对单晶造成不同程度的损伤,改变单晶内部应力。通过对单晶滚磨、切割、倒角等加工过程的研究,定性分析了单晶应力产生的原因,通过调整关键工艺参数,使晶片应力得到有效的控制。
- 秦学敏吕菲马玉通靳彩明
- 关键词：半导体材料晶体缺陷密度应力
- 一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法
- 本发明公开了一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法，该方法将腐蚀工艺分为两步腐蚀，第一步，将锗单晶片在碱性腐蚀液中腐蚀；第二步，将锗单晶片在酸性腐蚀液中腐蚀；碱性腐蚀液由KOH和H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</S...
- 吕菲常耀辉张伟才宋晶田原李静坤
- 文献传递
- 集成电路现状与发展趋势被引量：2
- 2019年
- 通过中外集成电路产业的对比和中国集成电路未来发展趋势的分析,准确阐述了中国集成电路产业的现状。近年来,中国集成电路产业一直处于快速发展的模式,市场规模和技术水平都在不断提高,集成电路的设计、制造、封测产业格局越来越均衡。全球半导体制造正在向中国转移,这种转变有助于提高中国半导体制造的技术水平,缩短与先进制程的差距。政策和资金的支持,增加了企业的投资信心,创造了良好的产业环境。
- 吕菲
- 关键词：晶圆集成电路设计集成电路制造
- 一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺
- 本发明公开了一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺。本工艺采用无蜡工艺进行锗片双面抛光后，采用稀释的氢氟酸溶液浸泡去除表面抛光液，采用稀释的洗净剂超声去除表面沾污，采用稀释的氨水溶液兆声清洗进一步去除表面颗粒，达到免清...
- 王云彪武永超吕菲陈亚楠张贺强杨召杰耿莉
- 文献传递
- 一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法
- 本发明公开了一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法。该方法采用至少两组厚度递减的游星片对待加工晶片进行分次研磨；每次研磨过程中，在将晶片研磨到与游星片厚度相等后继续研磨一段附加研磨时间。通常，厚度相邻的两组游星片的...
- 林健徐永宽刘玉岭刘春香杨洪星吕菲
- 文献传递
- 一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统
- 本发明公开了一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统。即熔晶中稳定时间为50‑60分钟，平均温度变化控制在0.3‑0.8℃；引晶中控制细颈直径为3.5‑4mm，细颈长度为150‑200mm，平均引晶速率为250...
- 莫宇李春龙韩焕鹏张睿吕菲
- 文献传递
- 硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究
- 2019年
- 介绍了硅单晶化学腐蚀片及其应用,指出了应用于TVS分立器件的硅衬底化学腐蚀片的表面质量要求,即要求硅腐蚀片坑深控制在3μm以下。研究了腐蚀前硅片的表面质量与化学腐蚀工艺对硅单晶化学腐蚀片表面质量的影响,并给出了满足衬底要求的加工工艺。
- 刘娜常耀辉吕菲刘洋
