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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

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机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇任永学
  • 2篇安振峰
  • 2篇房玉锁
  • 2篇王媛媛
  • 1篇沈牧
  • 1篇徐会武
  • 1篇闫立华
  • 1篇牛江丽
  • 1篇李成燕

传媒

  • 2篇世界有色金属

年份

  • 2篇2017
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
半导体激光器线阵列封装应力研究
2017年
本文主要研究了在808nm半导体激光器线阵列封装中,不同焊料(In焊料和Sn63Pb37焊料)封装应力对激光器光谱的影响。两种焊料制作线阵列,铟焊料阵列平均半宽为2.1nm,锡63铅37焊料阵列半宽为2.8nm。在经过电流21A、温度22±3℃、时间16h老化后,铟焊料阵列波长漂移为0.1nm,锡63铅37焊料阵列坡长漂移为0.7nm。实验结果证明了铟焊料封装应力小于锡铅焊料的应力。
房玉锁闫立华王媛媛任永学沈牧徐会武安振峰
关键词:半导体激光器
焊料体系对高功率半导体激光器性能的影响被引量:1
2017年
本文主要研究了808nm高功率半导体激光器采用In焊料和AuSn焊料封装器件,对器件光电参数以及工作寿命的影响。结果显示In焊料封装器件功率高于AuSn焊料封装器件,In焊料封装器件波长比AuSn焊料封装器件短。而在工作寿命方面,AuSn焊料封装器件占有明显优势,经过500小时老化,结果显示In焊料封装器件功率退化严重,而AuSn焊料封装器件功率稳定。
房玉锁李成燕牛江丽王媛媛任永学安振峰
关键词:半导体激光器焊料
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