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马德伟

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江工业大学理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇掩膜
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米线

机构

  • 1篇浙江工业大学
  • 1篇中国科学院宁...

作者

  • 1篇诸葛飞
  • 1篇梁凌燕
  • 1篇张洪亮
  • 1篇曹鸿涛
  • 1篇高俊华
  • 1篇竺立强
  • 1篇李俊
  • 1篇李康
  • 1篇马德伟

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器被引量：1
2017年
本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法。
李久朋马德伟曹鸿涛竺立强李俊李康梁凌燕张洪亮高俊华诸葛飞
关键词：ZNO纳米线
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