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周广通

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电气工程电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇电池
  • 7篇硫化
  • 7篇硫化钼
  • 5篇电极
  • 5篇载流子
  • 5篇太阳能电池
  • 5篇迁移率
  • 4篇半导体
  • 4篇衬底
  • 3篇载流子迁移率
  • 3篇太阳能
  • 3篇气相沉积
  • 3篇开关比
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇功函数
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇导体
  • 2篇电池效率

机构

  • 20篇华中科技大学

作者

  • 20篇周广通
  • 19篇曾祥斌
  • 19篇王文照
  • 19篇吴少雄
  • 12篇任婷婷
  • 6篇丁佳
  • 2篇王硕
  • 2篇郭富城
  • 2篇付永胜
  • 1篇李浩然

年份

  • 5篇2020
  • 6篇2019
  • 7篇2018
  • 2篇2017
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用
本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中...
曾祥斌郭振宇王文照胡一说吴少雄周广通曾洋任婷婷靳雯鲁基昌曾薏蓉肖永红
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一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法
本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二...
曾祥斌任婷婷胡一说王文照吴少雄周广通曾洋郭振宇靳雯王士博
一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用
本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接...
曾祥斌王文照郭振宇吴少雄曾洋胡一说周广通靳雯任婷婷
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一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法
本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二...
曾祥斌任婷婷胡一说王文照吴少雄周广通曾洋郭振宇靳雯王士博
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一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用
本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接...
曾祥斌王文照郭振宇吴少雄曾洋胡一说周广通靳雯任婷婷
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基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法
本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化...
曾祥斌曾洋吴少雄王文照胡一说周广通任婷婷郭振宇靳雯
一种HIT太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin‑layer)太阳能电池及其制备方法，该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N‑c‑Si)、本征氢化非晶硅层(a‑Si：H)、低氢气稀...
曾祥斌郭富城徐素娥李寒剑丁佳王文照王硕付永胜胡一说周广通吴少雄
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MoS2薄膜的制备及在太阳能电池中的应用研究
二硫化钼（MoS2）是一种新型类石墨烯二维半导体材料， MoS2因具有独特物理、光学和电学特性，成为新型半导体材料的研究热点。单层MoS2是直接带隙结构，具有很高的载流子迁移率和光吸收率，使其在半导体器件和光电子器件领域...
周广通
关键词：太阳能电池二硫化钼水热反应化学气相沉积
一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池及其制造方法
本发明公开了一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池，其采用PVA/PVP光透膜层作为电池的窗口层，由于PVA/PVP光透膜层能够隔离空气，从而增加了硫化钼薄膜异质结太阳能电池的稳定性；并且其在P型单晶硅衬底与硫化钼薄膜层之间设置...
曾祥斌周广通王文照胡一说靳雯吴少雄曾洋任婷婷郭振宇
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基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法
本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化...
曾祥斌曾洋吴少雄王文照胡一说周广通任婷婷郭振宇靳雯
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