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王文照

作品数：43 被引量：6H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术化学工程电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇电气工程

主题

  • 15篇硫化
  • 15篇硫化钼
  • 14篇电池
  • 12篇异质结
  • 12篇太阳能电池
  • 10篇异质结太阳能...
  • 10篇激光
  • 8篇电极
  • 8篇载流子
  • 8篇迁移率
  • 8篇SUB
  • 8篇衬底
  • 7篇二硫化钼
  • 7篇半导体
  • 6篇载流子迁移率
  • 5篇同质结
  • 5篇纳米
  • 5篇金属
  • 4篇导体
  • 4篇硫粉

机构

  • 43篇华中科技大学

作者

  • 43篇王文照
  • 42篇曾祥斌
  • 21篇吴少雄
  • 19篇周广通
  • 13篇丁佳
  • 12篇任婷婷
  • 12篇陆晶晶
  • 8篇郭富城
  • 7篇陈晓晓
  • 4篇廖武刚
  • 2篇王硕
  • 2篇付永胜
  • 1篇李浩然

传媒

  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 7篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 7篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MoO<Sub>3</Sub>/MoS<Sub>2</Sub>/LiF柔性异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种MoO<Sub>3</Sub>/MoS<Sub>2</Sub>/LiF柔性异质结太阳能电池及其制备方法。包括聚酰亚胺（PI）柔性衬底、Al背极、MoO<Sub>3</Sub>空穴传输层、MoS<Sub>2...
曾祥斌李寒剑徐素娥郭富城陈晓晓王文照丁佳
文献传递
层状二维硫化钼的CVD生长及室温光电探测器件研究
二硫化钼(MoS2)是一种新型的二维半导体材料，具有带隙随层数可调的特性，其带隙范围为1.2-1.8eV。近年来，由于层状MoS2具有原子级厚度、良好载流子迁移率和柔性可弯曲特性而备受关注，在电子、光电子器件中具有广泛的...
王文照
关键词：光电性能
基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法
本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化...
曾祥斌曾洋吴少雄王文照胡一说周广通任婷婷郭振宇靳雯
一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法
本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的...
曾祥斌王君豪胡一说王文照陆晶晶王曦雅周宇飞王士博肖永红陈铎张茂发
文献传递
硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用
本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中...
曾祥斌郭振宇王文照胡一说吴少雄周广通曾洋任婷婷靳雯鲁基昌曾薏蓉肖永红
文献传递
层状二硫化钼纳米薄膜的制备及其光学特性被引量：6
2016年
通过化学气相沉积法(CVD),以三氧化钼(MoO_3)粉末和硫(S)粉末作为反应物,将二硫化钼(MoS_2)纳米薄膜直接沉积到石英衬底上.通过光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了观察.发现所生长的MoS_2薄膜为纳米层状结构.通过拉曼光谱和光致发光光谱对生长的薄膜进行结构及光学性能分析.结果表明生长的纳米薄膜中有单层、双层和三层MoS_2薄膜的存在,同时在单层、双层和三层MoS_2薄膜中观察到了光致发光现象.并分析解释了MoS_2纳米薄膜从体材料向单层转变时能带结构的变化.
文杨阳曾祥斌陈晓晓王文照徐素娥丁佳
关键词：CVD二硫化钼拉曼光谱光致发光
一种WS<Sub>2</Sub>/Si异质结太阳能电池制备方法
本发明公开了一种制备二硫化钨/ 硅（WS<Sub>2 </Sub>/ Si）异质结太阳能电池的方法，主要工艺是：对p型单晶硅片清洗、制绒后置于PECVD系统中制备出本征非晶硅薄膜层；经WO<Sub>3</Sub>的硫化制...
曾祥斌王文照陈晓晓丁佳李寒剑徐素娥郭富城
文献传递
一种异质结材料及其应用
本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬...
曾祥斌王曦雅胡一说王文照陆晶晶王君豪肖永红周宇飞王士博陈铎张茂发
基于MoS<Sub>2</Sub>的同质结结型场效应管及其制备方法
本发明提供了一种基于MoS<Sub>2</Sub>的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS<Sub>2</Sub>的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；...
曾祥斌鲁基昌王文照陆晶晶王士博胡一说肖永红王君豪周宇飞袁俊茹王曦雅
文献传递
一种HIT太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin‑layer)太阳能电池及其制备方法，该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N‑c‑Si)、本征氢化非晶硅层(a‑Si：H)、低氢气稀...
曾祥斌郭富城徐素娥李寒剑丁佳王文照王硕付永胜胡一说周广通吴少雄
文献传递
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