高崇
- 作品数：6 被引量：18H指数：2
- 供职机构：北京中材人工晶体研究院有限公司更多>>
- 发文基金：北京市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学金属学及工艺更多>>
- 氧化镓单晶在酸碱条件下的腐蚀坑形貌研究
- 2023年
- 氧化镓晶体材料由于其优异的性能以及可以用熔体法生长的优势,在功率器件、光电领域有着巨大的潜力。近年来,国内外众多专家也随之开展对氧化镓单晶材料的研究工作,高质量低缺陷的氧化镓单晶材料对后续的外延、器件的制备极其重要。目前,国际上主流的生长方法是导模法,导模法具有生长周期短、尺寸大及生长稳定等优点,然而在晶体缺陷控制方面还有很大的进步空间。本文围绕氧化镓单晶的腐蚀坑形貌,对导模法生长的氧化镓单晶进行加工制样,进行了不同酸碱条件下的腐蚀实验。详细介绍了观察到的不同腐蚀坑形貌,分析了晶体缺陷对腐蚀坑形貌的影响,对今后氧化镓单晶生长机理和晶体缺陷的研究具有重要意义。
- 高崇韦金汕欧阳政何敬晖王增辉卜予哲赛青林赛青林
- 关键词：导模法单晶生长
- 氮化硅:未来陶瓷基片材料的发展趋势被引量：6
- 2016年
- 近年来，半导体器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。大功率半导体器件在风力发电、太阳能光伏发电、电动汽车、LED照明等领域都有广泛的应用。可以说大功率半导体器件，是绿色经济的核“芯”。
- 张伟儒高崇郑彧
- 关键词：陶瓷基片BEAIN氮化硅四氮化三硅氮化物
- 半导体器件用陶瓷基片材料发展现状被引量：14
- 2017年
- 陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。本文在半导体器件对基片材料性能要求的基础上,介绍了目前常用的氧化铍、氧化铝和氮化铝的性能及应用前景。阐述了新型陶瓷基板材料氮化硅陶瓷的物理力学性能,并与氧化铝和氮化铝的性能进行了比较,分析了氮化硅陶瓷基片在半导体器件上的应用优势,并对其未来前景进行了展望。
- 张伟儒郑彧李正高崇童亚琦
- 关键词：半导体氮化硅陶瓷热导率
- 半导体器件用陶瓷基片材料发展现状
- 陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料.随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的...
- 张伟儒郑或李正高崇童亚琦
- 关键词：半导体器件导热性力学性能
- 一种复合材料及其制备方法和用途
- 本申请实施例提供了一种复合材料及其制备方法和应用，其中复合材料包括高熔点金属基体和耐氧化金属镀层，所述高熔点金属基体的熔点大于1800℃，所述耐氧化金属镀层的熔点大于1600℃。所述复合材料可以用于高温耐氧化的金属坩埚和...
- 倪代秦周振翔赵鹏何敬晖高崇袁雷陈建荣黄存新
- 文献传递
- 一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法及蓝宝石
- 本发明公开了一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，包括以下步骤：⑴取Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和降低蓝宝石吸收系数的物质，将降低蓝宝石吸收系数的物质掺杂入Al<Sub>2</Sub>O<Sub>...
- 承刚周南浩赵鹏高崇陈建荣黄存新王颖张怡
