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周振翔

作品数:19 被引量:9H指数:2
供职机构:北京中材人工晶体研究院有限公司更多>>
发文基金:博士科研启动基金河南省自然科学基金河南省科技攻关计划更多>>
相关领域:化学工程理学建筑科学电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇化学工程
  • 4篇理学
  • 1篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇建筑科学

主题

  • 6篇单晶
  • 5篇金刚石
  • 5篇刚石
  • 4篇单晶生长
  • 3篇电阻
  • 3篇电阻加热
  • 3篇坩埚
  • 3篇温度梯度法
  • 3篇晶体
  • 3篇高温高压
  • 2篇氮化
  • 2篇圆筒形
  • 2篇陶瓷
  • 2篇提纯
  • 2篇提纯方法
  • 2篇硒化锌
  • 2篇炉体
  • 2篇金属
  • 2篇晶体生长
  • 2篇红外

机构

  • 19篇北京中材人工...
  • 4篇牡丹江师范学...
  • 3篇赤峰学院
  • 3篇中材人工晶体...
  • 2篇焦作师范高等...
  • 2篇河南理工大学
  • 2篇中材人工晶体...
  • 1篇吉林师范大学
  • 1篇洛阳理工学院
  • 1篇宁波大学
  • 1篇深圳大学
  • 1篇焦作大学
  • 1篇铜仁学院
  • 1篇中材高新材料...

作者

  • 19篇周振翔
  • 7篇陈建荣
  • 6篇黄存新
  • 3篇黄海亮
  • 3篇郑友进
  • 3篇倪代秦
  • 3篇黄国锋
  • 2篇彭珍珍
  • 2篇李尚升
  • 2篇胡美华
  • 2篇许安涛
  • 2篇宿太超
  • 2篇李辉
  • 2篇李丹
  • 1篇鲍志刚
  • 1篇王强
  • 1篇张蔚曦
  • 1篇赵祥敏
  • 1篇孙霄霄
  • 1篇贾洪声

传媒

  • 10篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多孔石墨对碳化硅晶体生长影响的数值模拟研究
2023年
SiC是新一代射频器件和功率器件的理想材料,电阻式物理气相传输法由于具有温度均匀性,成为生长大尺寸SiC单晶的有效方法。近年来,多孔石墨等的使用提高了SiC晶体的质量和产量,而关于其机理的研究却相对较少。本文使用数值模拟的方法系统研究了多孔石墨对SiC晶体生长的影响,并进行了晶体生长验证。模拟结果表明:多孔石墨的使用提高了原料区域的温度及温度均匀性,增大了坩埚内轴向温差,对减弱原料表层的重结晶也具有一定作用;在生长腔内,多孔石墨改善了物质流动在整个生长过程中的稳定性,提高了生长区域的C/Si比,有助于减小相变发生概率,同时多孔石墨对晶体界面也起到改善作用。晶体生长结果实际验证了多孔石墨在提高传质均匀性、降低相变发生率和改善晶体外形上的作用。本文结果对于理解多孔石墨的作用机理以及改善SiC晶体生长条件具有实际意义。
李荣臻赵小玻魏华阳李丹周振翔倪代秦李勇李宏凯林清莲
关键词:碳化硅多孔石墨数值模拟晶体生长电阻加热
物理气相传输法合成AlN单晶性能表征
2023年
采用物理气相传输(PVT)法通过同质外延生长获得14 mm×12 mm的AlN单晶样品。对样品进行切割、研磨、化学机械抛光处理后,采用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、光致发光光谱仪对样品进行测试表征。拉曼测试结果表明,晶体中心区域的拉曼光谱E_(2)(high)声子模的半峰全宽为3.3 cm^(-1),边缘区域E_(2)(high)声子模的半峰全宽为4.3 cm^(-1),晶体呈现较高的结晶质量。XRD摇摆曲线表征结果显示,外延生长后的晶体中心和边缘区域的摇摆曲线半峰全宽增大至100″和205″,表明晶体内存在缺陷。XPS测试结果表明,晶体内存在C、O、Si杂质元素,杂质的原子数分数分别为0.74%、1.43%、2.14%,晶体内发现以氧杂质为主的Al—O、N—Al—O等特征峰。光致发光光谱测试结果显示,晶体内存在V_(Al)-O_(N)复合缺陷和V_(Al)点缺陷。
周振翔陈宁李丹李丹倪代秦陈建荣倪代秦李荣臻陈建荣
关键词:氮化铝
一种硒化锌原料高温提纯方法
本发明涉及具体涉及一种硒化锌原料高温提纯方法。包括(1)、坩埚预处理;(2)、研磨晶料;(3)、洗瓶处理;(4)、煅烧;(5)、二次研磨、生长;去除硒化锌原料的杂质成分,优化硒化锌原料比近1:1,通过防控杂质来源,高温下...
周振翔陈建荣黄存新岳麓
文献传递
锌添加对大尺寸硼掺杂金刚石生长的影响
2019年
采用高温高压法在Ni MnCo体系下,通过添加低熔点金属锌合成出硼掺杂金刚石晶体。探究锌添加剂对硼掺杂金刚石晶体合成条件、形貌、颜色的影响。实验结果表明在Ni MnCo体系中,随着锌添加量增加,硼掺杂金刚石的合成压强和温度明显提高,晶体的颜色逐渐变黑;红外吸收光谱显示,随着锌添加量的增加,氮杂质特征吸收峰1130 cm-1和1344 cm-1逐渐消失,氮杂质含量降低至消失;1290 cm-1、2460 cm-1、2800 cm-1硼相关吸收峰增强,即硼杂质的含量逐渐增多。在传统Ni MnCo触媒体系下,锌的添加有利于硼原子进入金刚石晶格中去,本工作为合成高质量硼掺杂金刚石提供新的思路。
王方标许安涛余文明黄海亮郑友进周振翔岳麓
关键词:金刚石触媒
BiF_3弹性性质和电子性质的第一性原理计算
2018年
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对BiF_3的结构、弹性和电子性质进行了研究。计算表明,正交的Pnma结构是零压下的最稳定结构。在0~45 GPa压力区间内,Pnma结构都是力学稳定的。BiF_3是脆性材料,有较强的弹性各向异性特征。零压下体模量、剪切模量和杨氏模量分别为27.9 GPa,25.7 GPa和58.9 GPa,泊松比为0.15,德拜温度是244 K。电子性质的研究表明,零压下BiF_3的带隙为4.69 eV,随着压强的升高,导带向高能方向移动,价带向低能方向移动。化学键是共价键和离子键的混合。
孙霄霄周振翔赵祥敏陈玉强
关键词:第一性原理电子性质
Ib型金刚石单晶生长及合成腔体温度场分布研究
2024年
本文利用六面顶压机,在5.7 GPa、1560~1600 K的压力温度条件下,分别采用ϕ15 mm和ϕ30 mm两种尺寸合成腔体,系统开展了Ib型金刚石单晶的晶体生长工作,并借助于有限元法对两种尺寸合成腔体的温度场分布进行了研究。首先,借助于有限元法分别对两种尺寸合成腔体的触媒温度场分布进行了模拟。模拟结果揭示了ϕ30 mm合成腔体温度场的均匀性要明显优于ϕ15 mm合成腔体。其次,金刚石晶体生长实验结果表明,采用ϕ15 mm合成腔体很难实现质量超过1.2 ct(1 ct=0.2 g)的优质Ib型金刚石单晶的生长,而ϕ30 mm合成腔体更适合用于生长大尺寸优质Ib型金刚石单晶。再次,扫描电子显微镜表面形貌测试结果表明,合成腔体尺寸的扩大不会对Ib型金刚石单晶的表面结晶质量产生显著影响。最后,拉曼光谱的测试结果表明,除了多晶金刚石的结晶质量较差,本研究两种腔体合成的其他金刚石单晶测试样品均具有较好的结晶质量。本研究对宝石级金刚石单晶大尺寸合成腔体的设计、大尺寸金刚石单晶的生长,以及多晶种法金刚石单晶合成技术的完善均具有一定的学术参考价值。
肖宏宇李勇田昌海张蔚曦王强肖政国王应金慧鲍志刚周振翔
关键词:温度梯度法温度场
高温高压下白色硬玉质翡翠的合成与表征被引量:4
2016年
以硅酸铝和硅酸钠为原料制备出玻璃料,利用高温高压法确定了白色硬玉质翡翠的最佳合成条件,并通过XRD、FTIR和SEM等方法对样品进行表征。结果表明:5.0 GPa、1450℃条件下合成样品的主要成分为NaAlSi_2O_6,分子结构为硅氧四面体结构,具有柱状纤维编织形貌,与天然硬玉结构相同。我们的研究对于揭示天然翡翠的形成机制提供有力的参考。
王方标周振翔左桂红黄海亮郑友进
关键词:玻璃料高温高压微观形貌
一种多步反复合成制备稀土掺杂钆镓铝单晶原料的方法
本发明提供一种多步反复合成制备稀土掺杂钆镓铝单晶原料的方法,包括以下操作:1)称取用于掺杂的稀土和制备钆镓铝单晶的原料,放入坩埚中预烧;2)将预烧后的粉料混合均匀;3)将混合均匀的粉料放入坩埚,在温度1300~1600℃...
李辉王海丽陈建荣黄存新周振翔
碳酸钙掺杂对Ⅰb型金刚石沿不同晶面生长行为的影响被引量:2
2021年
作为天然金刚石生长环境的碳酸盐,研究其掺杂对人造金刚石晶体生长行为的影响具有重要的学术价值。本文运用高温高压下的温度梯度法,将碳酸钙(CaCO_(3))按照不同比例掺杂到金刚石合成腔体内的碳源中,用以研究其掺杂对金刚石分别沿(100)或(111)晶面生长行为的影响。利用光学显微成像对掺杂合成金刚石晶体形貌的表征表明:随着碳酸钙掺量的增加,沿(100)面生长的金刚石晶形由塔状变为板状且出现了裂晶、连晶现象,晶体颜色先变浅再变黑,内部出现了包裹体;同样,沿(111)面生长的金刚石晶形由板状逐渐变为塔状且出现了裂晶、孪晶现象,晶体颜色逐渐变黑,内部包裹体增多。用激光拉曼光谱对掺杂金刚石晶体质量的表征表明:随着碳酸钙掺量的增加,沿(100)或(111)面生长的掺杂金刚石的拉曼峰位偏移量均增大,半峰全宽均变大。这说明碳酸钙掺杂使得金刚石晶格畸变增加、内应力变大。本文对碳酸钙掺杂影响沿两不同面生长金刚石的晶形、颜色、内部质量等行为的成因进行了分析,为本课题后续研究奠定了基础。
陈珈希张喜云李尚升郭明明胡美华宿太超黄国锋李战厂周振翔聂媛王蒙召周绪彪
关键词:温度梯度法晶体生长晶格畸变
FeNi、NiMnCo及其复合触媒中Ⅰb型金刚石的生长特性被引量:2
2021年
本文以Ni_(70)Mn_(25)Co_(5)和Fe_(64)Ni_(36)合金及其复合合金作为触媒,采用高温高压温度梯度法在5.6 GPa压力下,对不同温度下沿(100)晶面生长的Ⅰb型金刚石的生长特性进行了研究,研究表明:以Fe_(64)Ni_(36)触媒合成出的金刚石在以(111)晶面为主的晶形高温生长范围内出现了一段约50 K范围的裂晶生长区,而以Ni_(70)Mn_(25)Co_(5)触媒合成的金刚石在生长温度范围内,特别是在以(111)晶面为主的晶体生长高温区域内容易出现连晶缺陷;高温下Fe_(64)Ni_(36)触媒过度熔融可能是晶体容易产生裂晶的原因,Ni_(70)Mn_(25)Co_(5)触媒熔体黏性较低可能是容易形成连晶的原因;采用两种触媒复合的方式有效避免了裂晶和连晶的产生;拉曼光谱表征发现连晶的晶体内部质量与单晶的晶体质量相近,裂晶中晶格畸变和杂质较多,晶体内应力较大,复合触媒体系合成的金刚石晶体内应力小,质量好。
王蒙召许安涛李尚升高广进胡美华宿太超黄国锋李战厂周振翔聂媛陈珈希周绪彪
关键词:高温高压合成温度梯度法
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