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盖蔚

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电镀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇TSV
  • 1篇电镀镍
  • 1篇电感耦合
  • 1篇镀镍
  • 1篇圆片
  • 1篇圆片级
  • 1篇圆片级封装
  • 1篇微光机电系统
  • 1篇激光
  • 1篇激光刻蚀
  • 1篇键合
  • 1篇光机
  • 1篇光机电
  • 1篇光刻
  • 1篇封装
  • 1篇CIS
  • 1篇ICP刻蚀
  • 1篇MOEMS

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 2篇徐高卫
  • 2篇罗乐
  • 2篇盖蔚

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
应用于MOEMS集成的TSV技术研究被引量：3
2019年
硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表征,测试结果表明,单个TSV的电阻平均值为0.199Ω、相邻两个TSV的电容在无偏压时为170.45 fF、TSV的漏电流在100 V时为9.43 pA,具有良好的电学特性。
胡正高盖蔚徐高卫罗乐
关键词：ICP刻蚀键合电镀
一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装被引量：1
2017年
提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)的方法实现TSV内绝缘隔离;采用激光刻蚀开口和RDL方法实现CIS电极的背部引出;通过采用铝电极电镀镍层的方法解决了激光刻蚀工艺中聚合物溢出影响互连的问题,提高了互连可靠性。对锥形TSV刻蚀参数进行了优化。最终在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅/玻璃键合圆片上实现了含有276个电极的CIS圆片级封装。电性能测试结果表明,CIS圆片级封装具有良好的互连导电性,两个相邻电极间平均电阻值约为7.6Ω。
梁得峰盖蔚徐高卫罗乐
关键词：激光刻蚀电镀镍圆片级封装
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