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宁珺

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：合肥工业大学应用物理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇旁栅效应
  • 2篇光敏
  • 2篇GAAS衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇电路
  • 1篇砷化镓衬底
  • 1篇深能级
  • 1篇能级
  • 1篇光敏特性
  • 1篇MESFET

机构

  • 2篇合肥工业大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 2篇赵福川
  • 2篇夏冠群
  • 2篇赵建龙
  • 2篇毛友德
  • 2篇丁勇
  • 2篇宁珺

传媒

  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微电子技术

年份

  • 2篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象
2000年
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。
宁珺丁勇毛友德夏冠群赵福川赵建龙
关键词：旁栅效应光敏MESFET深能级砷化镓
GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象被引量：1
2000年
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。
宁珺丁勇夏冠群赵福川毛友德赵建龙
关键词：旁栅效应光敏特性砷化镓衬底
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