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丁勇

作品数：10 被引量：4H指数：1
供职机构：合肥工业大学应用物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 9篇MESFET
  • 7篇砷化镓
  • 7篇旁栅效应
  • 3篇阈值电压
  • 2篇电离
  • 2篇栅距
  • 2篇碰撞电离
  • 2篇晶体管
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道电流
  • 2篇光敏
  • 2篇GAAS衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇低频振荡
  • 1篇电路
  • 1篇电子陷阱
  • 1篇振荡
  • 1篇砷化镓衬底
  • 1篇深能级
  • 1篇能级

机构

  • 10篇合肥工业大学
  • 6篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院

作者

  • 10篇丁勇
  • 9篇毛友德
  • 8篇夏冠群
  • 7篇赵建龙
  • 6篇赵福川
  • 2篇宁珺
  • 1篇李传海
  • 1篇易茂祥
  • 1篇刘汝萍
  • 1篇毛剑波

传媒

  • 2篇半导体情报
  • 2篇Journa...
  • 2篇半导体杂志
  • 1篇半导体技术
  • 1篇合肥工业大学...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子技术

年份

  • 1篇2009
  • 4篇2001
  • 5篇2000
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系被引量：1
2001年
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 .发现当延迟时间超过 2 s时 ,迟滞现象基本消失 ,旁栅效应达到稳态 ,而且准静态地改变旁栅电压 ,沟道电流的变化会达到一稳定值 ,与过程无关 ,于是可以避免迟滞现象 .
丁勇赵福川毛友德夏冠群赵建龙
关键词：旁栅效应沟道电流砷化镓MESFET场效应晶体管
旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究
2001年
旁栅效应是制约 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG与 LSG成正比关系。这一结论对数字电路设计具有重要指导意义 ,在设计电路版图时可根据电路的逻辑电平摆幅 VSW选择器件之间的最小距离
丁勇毛友德夏冠群赵建龙
关键词：旁栅效应碰撞电离MESFET
GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析被引量：2
2009年
探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。
毛剑波易茂祥丁勇
关键词：GAASMESFET旁栅效应电子陷阱
GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究
2001年
旁栅效应是影响 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。本文研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG的大小与 LSG成正比关系 ,并理论探讨了产生这一现象的机制 ,从而验证了旁栅阈值电压与旁栅距关系的有关理论。
丁干崔丽娟丁勇毛友德赵福川夏冠群
关键词：旁栅效应砷化镓MESFET
旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡被引量：1
2000年
通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象 ,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡 .并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道 -衬底 (C- S)结的特性和高场下衬底深能级 EL2
丁勇赵福川毛友德夏冠群赵建龙
关键词：低频振荡
不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究
2001年
分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明 ,器件工艺对 MESFET阈值电压有一定的影响 ,开展 Ga As MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺 ,以尽可能减少工艺引起的偏差。
李传海毛友德丁勇刘汝萍夏冠群
关键词：阈值电压均匀性离子注入砷化镓MESFET
GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象
2000年
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。
宁珺丁勇毛友德夏冠群赵福川赵建龙
关键词：旁栅效应光敏MESFET深能级砷化镓
GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象被引量：1
2000年
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。
宁珺丁勇夏冠群赵福川毛友德赵建龙
关键词：旁栅效应光敏特性砷化镓衬底
GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响
2000年
研究了改变MESFET漏源电压大小和交换源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级EL2的碰撞电离关系。
丁勇赵福川毛友德夏冠群赵建龙
关键词：旁栅效应漏源电压砷化镓MESFET
EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响
2000年
在建立的理论模型基础之上 ,定量地分析了EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响 ,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAsMESFET夹断电压大小的主要因素 ,EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响程度与EL2能级的缺陷密度呈线性关系。
毛友德顾成余丁勇宁王君夏冠群赵建龙赵福川
关键词：夹断电压砷化镓MESFET
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