2025年4月10日
星期四
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刘卫兵
作品数:
53
被引量:6
H指数:2
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
自动化与计算机技术
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合作作者
高建峰
中国科学院微电子研究所
李俊峰
中国科学院微电子研究所
李俊杰
中国科学院微电子研究所
杨涛
中国科学院微电子研究所
明安杰
中国科学院微电子研究所
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作者
53篇
刘卫兵
35篇
高建峰
34篇
李俊峰
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李俊杰
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杨涛
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明安杰
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2018
10篇
2017
1篇
2016
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一种氧化钒薄膜的制备方法
本发明提出了一种氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上方沉积介质层;对所述衬底进行预热;采用磁控溅射法,在所述介质层上形成氧化钒薄膜种子层,形成所述氧化钒薄膜种子层的工艺条件如下:射频溅射功率为5...
高建峰
李俊峰
刘卫兵
赵超
王文武
文献传递
基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法
本发明公开一种基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法。所述基于湿法预释放结构的MEMS红外光源包括嵌入式空腔的承载衬底及所述承载衬底上的红外光源结构;所述红外光源结构设有支撑层、隔离层、图形化金属电极以及辐射层...
明安杰
刘卫兵
孙西龙
王玮冰
陈大鹏
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法,可以在衬底上沉积形成牺牲层,利用Bosch工艺对牺牲层进行刻蚀形成电容孔,电容孔的侧壁在纵向上呈凹凸交替变化,在电容孔内依次形成底电极层、介质层和顶电极层,由于Bosch工艺...
高建峰
李俊杰
周娜
刘卫兵
杨涛
李俊峰
文献传递
位线两侧气隙及半导体结构的制造方法
本申请涉及半导体制造领域,具体公开了一种位线两侧气隙及半导体装置的制造方法,包括以下步骤:在半导体衬底上形成多条位线;在每条位线的两侧形成上部开口的气隙;采用物理气相沉积工艺形成盖帽层,以封闭所述上部开口。本申请采用台阶...
高建峰
刘卫兵
杨涛
李俊峰
文献传递
一种环栅堆叠纳米器件及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种环栅堆叠纳米器件及其制备方法,本发明通过第二侧墙介质覆盖整个表面并充满内嵌的凹槽,形成第二侧墙,进而在第二侧墙的表面沉积内侧墙牺牲层,并刻蚀掉部分内侧墙牺牲层,使其与第二侧墙介质齐...
高建峰
刘卫兵
杨帅
周娜
李俊杰
杨涛
李俊峰
罗军
堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法
本发明提供一种堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法,具体包括:提供衬底,衬底的一侧具有支撑部,在支撑部上具有交替层叠的牺牲层和沟道层,支撑部、牺牲层和沟道层构成鳍片;形成跨鳍片的假栅,并在假栅两侧形成侧墙;对鳍片进行刻蚀,形...
高建峰
刘卫兵
周娜
李俊杰
杨涛
李俊峰
罗军
悬浮结构的MEMS红外光源
本实用新型公开一种悬浮结构的MEMS红外光源。所述悬浮结构的MEMS红外光源包括薄膜悬浮结构及所述悬浮结构上的红外光源结构;所述薄膜悬浮结构为图形化的支撑层,所述支撑层为沉积在承载衬底上的凹弧状的四梁固支结构;所述红外光...
明安杰
刘卫兵
任耀辉
毛海央
谭秋林
王玮冰
熊继军
陈大鹏
文献传递
集成高辐射率纳米结构的MEMS红外光源研究
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)红外光源基于热辐射原理,具有体积小、功耗低、调制频率高、波长范围宽、寿命长等特点。随着纳米技术及纳米结构与传感器的集成逐渐成为关注的热...
刘卫兵
关键词:
微机电系统
红外光源
辐射率
红外光谱
调制特性
文献传递
一种钽掩模的制备方法
本发明公开了一种钽掩模的制备方法,属于微电子制造技术领域,解决了现有技术中制备65nm或更小尺寸的MTJ单元需要配合较薄的钽硬掩模层,但钽膜层需要有足够的厚度来完成MTJ的完全刻蚀的矛盾,以及实际MTJ尺寸大于光刻尺寸的...
高建峰
李俊杰
刘卫兵
李俊峰
王文武
文献传递
一种STT-MRAM存储器单元及其制备方法
本发明公开了一种STT‑MRAM存储器单元及其制备方法,属于微电子制造技术领域,解决现有技术中磁性隧道结TMR(隧穿磁阻)低、MTJ刻蚀过程对STT‑MRAM的TMR性能影响大的问题。本发明的STT‑MRAM存储器单元,...
高建峰
刘卫兵
李俊杰
李俊峰
王文武
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