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孙迎波

作品数:5 被引量:8H指数:2
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇金属化
  • 2篇金属化耦合封...
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇封装
  • 1篇大应变
  • 1篇电路
  • 1篇电路研究
  • 1篇探测器
  • 1篇驱动电路
  • 1篇陀螺
  • 1篇微带
  • 1篇微型化
  • 1篇量子阱红外探...
  • 1篇激光器模块
  • 1篇激光器驱动
  • 1篇功率半导体

机构

  • 5篇重庆光电技术...
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 5篇孙迎波
  • 3篇郭洪
  • 2篇杨璠
  • 1篇杨晓波
  • 1篇周勋
  • 1篇刘刚明
  • 1篇刘万清
  • 1篇周勇
  • 1篇杨番
  • 1篇陈广聪
  • 1篇熊煜
  • 1篇欧翔

传媒

  • 4篇半导体光电
  • 1篇第五届全国光...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇1993
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
微型化大电流脉冲激光器驱动电路研究被引量:3
2014年
设计了一种用于与激光二极管芯片进行集成的基于MOSFE场效应管的大电流脉冲驱动电路方案,计算了限流电阻对驱动电路中储能电容性能的影响,分析了MOSFET场效应管峰值驱动电流与开通时间的估算公式,通过仿真软件研究了激光器的寄生电感对驱动电路波形的影响;理论和仿真结果表明,通过驱动电路与激光器芯片的一体化集成,提高了脉冲激光器性能,设计并制作了尺寸为14mm的微型化驱动电路;经测试,27V直流电压源驱动下,驱动信号上升时间小于15ns,脉宽25~150ns,最大占空比0.5%,输出幅值大于22V。
熊煜孙迎波刘刚明欧翔郭洪
关键词:激光器驱动电路MOSFET微型化
大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长被引量:3
2013年
基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化,获得了高质量的外延材料。
周勇孙迎波周勋刘万清杨晓波
关键词:大应变量子阱红外探测器
1.3μm全金属化耦合封装可插拔式发光二极管
杨番孙迎波
关键词:发光二极管
全金属化耦合封装的大功率半导体激光器模块被引量:1
2011年
大功率半导体激光器模块对耦合封装工艺要求较高,耦合封装工艺直接影响模块的可靠性。采用金属化楔形微透镜光纤与大功率半导体激光器对准耦合,耦合效率达到87%;采用激光焊接定位的方式对大功率半导体激光器与楔形微透镜光纤进行耦合固定,实现了大功率半导体激光器模块的全金属化封装。通过环境考核试验证明,模块储存温度达到-60~120℃,能够满足许多特殊环境对半导体激光器模块的要求。
郭洪杨璠孙迎波
关键词:金属化耦合封装半导体激光器
850nm微型化封装超辐射发光二极管模块被引量:1
2014年
研制了一种微型6针卧式结构的850nm超辐射发光二极管(SLD)模块,该模块采用激光焊接方式实现全金属化耦合封装,通过对模块结构的优化设计,使模块体积缩小为标准8针蝶形封装体积的一半。该模块在100mA工作电流下,尾纤输出功率大于1.5mW,光谱宽度大于20nm,纹波系数小于0.5dB,同时选用高效率微型半导体制冷器(TEC),使其正常工作温度范围和储存温度范围分别达到-50-75℃和-60-100℃。
孙迎波陈广聪杨璠郭洪钟正英
共1页<1>
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