郭洪 作品数:4 被引量:8 H指数:2 供职机构: 重庆光电技术研究所 更多>> 发文基金: 重庆市科技攻关计划 重庆市教育委员会科学技术研究项目 国家重点实验室开放基金 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
微型化大电流脉冲激光器驱动电路研究 被引量:3 2014年 设计了一种用于与激光二极管芯片进行集成的基于MOSFE场效应管的大电流脉冲驱动电路方案,计算了限流电阻对驱动电路中储能电容性能的影响,分析了MOSFET场效应管峰值驱动电流与开通时间的估算公式,通过仿真软件研究了激光器的寄生电感对驱动电路波形的影响;理论和仿真结果表明,通过驱动电路与激光器芯片的一体化集成,提高了脉冲激光器性能,设计并制作了尺寸为14mm的微型化驱动电路;经测试,27V直流电压源驱动下,驱动信号上升时间小于15ns,脉宽25~150ns,最大占空比0.5%,输出幅值大于22V。 熊煜 孙迎波 刘刚明 欧翔 郭洪关键词:激光器 驱动电路 MOSFET 微型化 全金属化耦合封装的大功率半导体激光器模块 被引量:1 2011年 大功率半导体激光器模块对耦合封装工艺要求较高,耦合封装工艺直接影响模块的可靠性。采用金属化楔形微透镜光纤与大功率半导体激光器对准耦合,耦合效率达到87%;采用激光焊接定位的方式对大功率半导体激光器与楔形微透镜光纤进行耦合固定,实现了大功率半导体激光器模块的全金属化封装。通过环境考核试验证明,模块储存温度达到-60~120℃,能够满足许多特殊环境对半导体激光器模块的要求。 郭洪 杨璠 孙迎波关键词:金属化耦合封装 半导体激光器 1053nm高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性 被引量:3 2015年 制备了一种新型的具有高调制带宽的1 053 nm超辐射发光二极管(SLD).利用光荧光(PL)测试分析了不同温度、不同生长速率对SLD芯片外延材料质量的影响,优化了In Ga As/Ga As量子阱的生长温度与生长速率.分析了SLD模块的光电特性随温度与注入电流的变化关系.研究结果表明,SLD输出波长随温度的漂移系数为0.35 nm/℃,其输出波长随注入电流的漂移对温度并不敏感.在25℃、100 m A注入电流下SLD的-3 d B调制带宽达到1.7 GHz,尾纤输出功率2.5 m W,相应的光谱半宽为24 nm,光谱波纹为0.15 d B. 段利华 张淑芳 周勇 张靖 郭洪 罗庆春 方亮关键词:超辐射发光二极管 NM 调制带宽 850nm微型化封装超辐射发光二极管模块 被引量:1 2014年 研制了一种微型6针卧式结构的850nm超辐射发光二极管(SLD)模块,该模块采用激光焊接方式实现全金属化耦合封装,通过对模块结构的优化设计,使模块体积缩小为标准8针蝶形封装体积的一半。该模块在100mA工作电流下,尾纤输出功率大于1.5mW,光谱宽度大于20nm,纹波系数小于0.5dB,同时选用高效率微型半导体制冷器(TEC),使其正常工作温度范围和储存温度范围分别达到-50-75℃和-60-100℃。 孙迎波 陈广聪 杨璠 郭洪 钟正英