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赵永志

作品数:24 被引量:20H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 9篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇封装
  • 7篇微电子
  • 6篇电子封装
  • 6篇微电子封装
  • 4篇收发
  • 4篇微系统
  • 4篇芯片
  • 4篇滤波器
  • 3篇电镀
  • 3篇电子封装技术
  • 3篇多芯片
  • 3篇多芯片组件
  • 3篇异构
  • 3篇圆片
  • 3篇圆片级
  • 3篇通信
  • 3篇微电子封装技...
  • 3篇芯片组件
  • 3篇集成技术
  • 3篇键合

机构

  • 24篇中国电子科技...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 24篇赵永志
  • 8篇王绍东
  • 8篇许春良
  • 6篇赵宇
  • 4篇吴洪江
  • 3篇王志强
  • 2篇朴贞真
  • 1篇陈兴
  • 1篇乔明昌
  • 1篇曾荣
  • 1篇银军
  • 1篇吕立明
  • 1篇王生国
  • 1篇张超
  • 1篇钟伟
  • 1篇黄玉红
  • 1篇方园
  • 1篇吴家锋
  • 1篇李智鹏

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 1篇通讯世界
  • 1篇遥测遥控
  • 1篇微波学报
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 4篇2024
  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2011
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs芯片上倒装Si芯片的金凸点高度与键合工艺参数优化
2023年
随着射频集成电路向小型化、高集成方向发展,基于金凸点热超声键合的芯片倒装封装因凸点尺寸小、高频性能优越成为主流技术之一。以GaAs芯片上倒装Si芯片的互连金凸点为研究对象,通过有限元仿真方法,分析了温度和剪切力作用下不同高度金凸点的等效应力,得到金凸点的最优高度值。通过正交试验,研究键合工艺参数(压力、保持时间、超声功率、温度)对金凸点高度和键合强度的影响规律。通过可靠性试验,验证了工艺优化后倒装焊结构的可靠性。结果表明:键合工艺参数对凸点高度的影响排序为压力>超声功率>温度>保持时间,对剪切力的影响排序为压力>超声功率>保持时间>温度。
厉志强柳溪溪张震赵永志
关键词:金凸点热超声键合倒装工艺参数
基于异构集成技术的相控阵T/R组件微系统被引量:7
2021年
基于硅基微电子机械系统(MEMS)工艺和三维异构集成技术,研制了一款硅基X波段2×2相控阵T/R组件。该组件采用收发一体多功能芯片方案,将所有器件封装于两层硅基中。其中上层硅基集成了低噪声放大器、功率放大器、开关、电源调制驱动器和PMOSFET等芯片,下层硅基集成了多功能芯片、串/并转换芯片以及逻辑运算芯片;两层硅基封装之间通过植球进行堆叠。最终样品尺寸仅为20 mm×20 mm×3 mm。实测结果显示,在8~12 GHz内,该T/R组件饱和输出功率约为29 dBm,接收增益约为21 dB,接收噪声系数小于3 dB,在具备优良射频性能的同时实现了组件的小型化。
乔明昌刘恩达赵永志赵宇
关键词:相控阵微系统收发组件
多射频连接器一体烧焊夹具
本发明提供了一种多射频连接器一体烧焊夹具,属于通信技术领域,包括支撑结构、盒体固定结构及射频连接器固定结构,盒体固定结构固定于支撑结构上;射频连接器固定结构设置于支撑结构上,且位于盒体固定结构的上方;射频连接器固定结构包...
柳溪溪邢增程许春良冀乃一赵永志
一种基于硅基MEMS三维异构集成技术的T/R组件
2024年
基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段双通道T/R组件。该组件由两层硅基结构通过球栅阵列(BGA)植球堆叠而成,上下两层硅基封装均采用5层硅片通过硅通孔(TSV)、晶圆级键合工艺实现。组件集成了六位数控移相、六位数控衰减、串转并、电源调制、逻辑控制等功能,最终组件尺寸仅为15 mm×8 mm×3.8 mm。测试结果表明,在Ku波段内,该组件发射通道饱和输出功率大于24 dBm,单通道发射增益大于20 dB,接收通道增益大于20 dB,噪声系数小于3.0 dB。该组件性能好,质量轻,体积小,加工精确度高,组装效率高。
陈兴张超李晓林赵永志
关键词:微系统收发组件
一种新型三维微波多芯片组件结构
本实用新型公开了一种新型三维微波多芯片组件结构,涉及微波微电子封装领域。自下而上包括底层硅片、MMIC芯片、顶层硅片、ASIC芯片;底层硅片上腐蚀有芯片安装槽,并在表面电镀第一金属层,MMIC芯片通过导电胶层粘结在芯片安...
赵永志王绍东王志强
文献传递
多射频连接器一体烧焊夹具
本发明提供了一种多射频连接器一体烧焊夹具,属于通信技术领域,包括支撑结构、盒体固定结构及射频连接器固定结构,盒体固定结构固定于支撑结构上;射频连接器固定结构设置于支撑结构上,且位于盒体固定结构的上方;射频连接器固定结构包...
柳溪溪邢增程许春良冀乃一赵永志
一种相控阵天线封装结构
本发明提供了一种相控阵天线封装结构,属于通讯雷达技术领域,包括PCB母板、多个双层TR器件以及天线板,多个双层TR器件呈矩阵间隔排布,天线板通过多个螺钉连接在多个双层TR器件的上方,多个双层TR器件焊接在PCB母板的上端...
邢增程许春良厉志强赵永志冀乃一张理想方园
一种新型三维微波多芯片组件结构
本发明公开了一种新型三维微波多芯片组件结构,涉及微波微电子封装领域。自下而上包括底层硅片、MMIC芯片、顶层硅片、ASIC芯片;底层硅片上腐蚀有芯片安装槽,并在表面电镀第一金属层,MMIC芯片通过导电胶层粘结在芯片安装槽...
赵永志王绍东王志强
微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线
本申请适用于半导体技术领域,提供了一种微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线,其中微同轴结构包括:通过金属层键合的第一基片和第二基片;贯穿所述第一基片和所述第二基片的通孔阵列;位于所述第一基片的键合面一侧的第一空气...
赵永志李光福王绍东
文献传递
波导传输的功放模块测试装置和方法
本申请适用于半导体分立器件测试技术领域,提供了波导传输的功放模块测试装置和方法。该装置包括:安装组件放置功放模块,设置有与功放模块的针排对应的插座,将功放模块的非标波导传输口经仿真后转换成标准波导传输口;转换组件位于安装...
王成许春良丁有源厉志强赵永志郭涛李慧祥朴贞真高森祺张亦弛田昕伟
共3页<123>
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