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赵宇

作品数：22 被引量：32H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电路
  • 6篇微系统
  • 6篇硅基
  • 4篇异构
  • 4篇异构集成
  • 4篇封装
  • 4篇T/R
  • 4篇MEMS
  • 3篇平衡混频器
  • 3篇微带
  • 3篇微电子
  • 3篇微组装
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇芯片
  • 3篇滤波器
  • 3篇混频
  • 3篇混频器
  • 3篇集成电路
  • 3篇集成技术

机构

  • 22篇中国电子科技...
  • 1篇北京空间机电...
  • 1篇国防科技大学
  • 1篇中国国防科技...

作者

  • 22篇赵宇
  • 9篇吴洪江
  • 6篇赵永志
  • 4篇许春良
  • 3篇刘星
  • 2篇孟范忠
  • 2篇方园
  • 2篇林勇
  • 2篇陈长友
  • 1篇付兴昌
  • 1篇吴思汉
  • 1篇高学邦
  • 1篇乔明昌
  • 1篇于双江
  • 1篇魏洪涛
  • 1篇任怀龙
  • 1篇王绍东
  • 1篇夏俊颖
  • 1篇刘永强
  • 1篇王宗成

传媒

  • 11篇半导体技术
  • 2篇通讯世界
  • 1篇遥测遥控
  • 1篇2017年全...

年份

  • 6篇2023
  • 3篇2022
  • 6篇2021
  • 3篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于硅基微系统的三维封装方法
本发明提供了一种基于硅基微系统的三维封装方法，属于硅基微系统微组装技术领域，包括在掩膜版上制作预设闭环图形；在第一层硅基板的上表面上和/或第二层硅基板的下表面上，涂胶、光刻、显影，形成预设闭环图形；在第二层硅基板上刻蚀第...
刘星李晓林杨栋陈东博王清源胡雅丽彭桢哲赵宇
3mm单平衡混频器芯片被引量：4
2015年
为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用In P高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片。该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对（APDP）和三线耦合Marchand巴伦结构,在获得精确的肖特基二极管非线性模型和巴伦电磁场S参数模型的基础上,对混频器进行了电路设计。最终获得了良好的工作带宽、变频损耗与隔离度指标,在片测试结果显示,该芯片射频、本振频率为82-100 GHz,变频损耗小于9 d B,本振（LO）-射频（RF）隔离度大于20 d B,中频带宽为0.1-18 GHz,整体芯片尺寸为1.1 mm×1.0 mm。
赵宇刘永强魏洪涛
关键词：磷化铟MM单平衡混频器肖特基二极管
共面波导-矩形波导转换器
本发明提供了一种共面波导‑矩形波导转换器，属于毫米波技术领域，包括包括依次叠设的第一金属接地板、第一介质基板、第二金属接地板、第二介质基板、第三金属接地板和矩形波导；其中，第一金属接地板、第一介质基板、第二金属接地板及对...
郑俊平林勇孟范忠赵宇许春良
文献传递
一种W波段硅基多通道多功能芯片
2023年
为实现W波段多通道收发芯片小型化,研究了多层硅片垂直堆叠实现的三维硅基异构集成技术。基于高精度刻蚀工艺制作掩埋芯片的槽体和腔体,利用金属化通孔和上、下金属层实现了集成波导传输结构和滤波结构,结合金属化通孔的紧密分布实现了电磁屏蔽侧墙,该工艺在实现小型化的同时保证了抗干扰能力。采用高深宽比的通孔刻蚀技术和金属化技术实现信号的垂直传输,通过金丝键合实现微波单片集成电路(MMIC)芯片和硅基传输结构的物理连接,使用低温晶圆键合技术实现了硅片垂直堆叠,最终经微组装技术实现了92~96 GHz多通道多功能芯片。经测试,接收通道噪声系数小于6.2 dB,接收增益约大于14 dB,发射通道饱和输出功率达到20 dBm,验证了该技术的可行性,为W波段小型化多功能芯片提供了良好的设计思路。
于双江赵峰郑俊平赵宇高艳红谭超
关键词：W波段小型化多功能芯片
一种集成环行器的X波段三维异构集成T/R模组被引量：1
2023年
微电子机械系统(MEMS)环行器被广泛应用于射频(RF)T/R微系统中,解决共用天线且收发隔离的问题。基于硅基三维(3D)异构集成工艺,设计了一种集成MEMS环行器的X波段T/R模组。该模组以高阻硅为介质基板,在硅基板上、下表面电镀金属图形,并堆叠多层硅基晶圆,在硅基模组上封装了集成无源器件(IPD)环行器,完成了多种微波芯片和MEMS环行器的系统级封装(SiP),将环行器紧凑集成在硅基T/R模组中。模组尺寸为12.0 mm×11.3 mm×2.0 mm。测试结果表明,在8~12 GHz频带内,模组接收通道增益为27 dB,接收通道噪声系数小于3.2 dB;发射通道增益为33 dB,饱和输出功率大于2 W。
彭桢哲李晓林董春晖赵宇吴洪江
一种螺旋巴伦结构的毫米波二倍频器MMIC设计被引量：4
2015年
基于Ga As肖特基二极管工艺,研制了一款无源毫米波二倍频器单片微波集成电路（MMIC）。该电路的拓扑结构包含并联二极管对,输入巴伦和输入、输出匹配电路,其中输入巴伦为螺旋型Marchand巴伦,使电路输入输出端具有奇偶次谐波相互隔离的特点,不仅抑制了输出奇次谐波,而且增加了线间的耦合,显著减小了芯片的面积。在设计软件对电路进行仿真优化的基础上,经过实际流片并对芯片进行了测试,实现了输入功率为15 d Bm时,输出频率在44~60 GHz处,输出功率大于-1 d Bm,变频损耗小于16 d B,对基波和各次谐波抑制度大于30 d Bc的技术指标。芯片实际尺寸为1.45 mm×1.1 mm。
陈长友吴洪江赵宇
关键词：倍频器肖特基二极管砷化镓毫米波
陷波器芯片
本发明公开了一种陷波器芯片，涉及集成电路技术领域；包括衬底；还包括制作在衬底上的传输微带线X1、滤波微带线X2、滤波微带线X3、扇形线S1和扇形线S2；信号输入端输入信号分成两路，信号输入端第一路连接传输微带线X1输入端...
陈长友方园吴洪江赵宇
文献传递
基于硅基MEMS三维集成技术的片式多波束发射前端被引量：4
2021年
基于多波束发射前端的相控阵,具有波束灵活扫描和多目标同时通信的能力,是低轨互联网通信卫星的重要微波子系统。采用硅基MEMS三维异构集成技术,将多个微波单片集成电路MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)和硅基MEMS功分交叉网络等无源结构一体化集成,实现了一种K频段8波束32通道瓦片式相控阵发射前端。该器件由五个硅基封装模块堆叠而成,不同封装模块之间通过植球(金球凸点及铅锡焊球)的方式互连,内部通过TSV通孔技术实现垂直互连。为展示其性能,制备了19 GHz-21 GHz频段的样件,尺寸为16.25 mm×14.25 mm×6.3 mm。经测试,单通道发射增益≥18 dB,输入输出端口驻波≤2.0,同时具备6位数控移相和5位数控衰减功能。
赵宇赵玛利赵永志张梦娇王佳李美苓吴洪江
基于硅基微系统的三维封装结构及硅基微组装器件
本实用新型提供了一种基于硅基微系统的三维封装结构，属于硅基微系统微组装技术领域，包括第一层硅基板以及第二层硅基板，第一层硅基板上设有功能元件胶接区；第二层硅基板设置于第一层硅基板的上面，第二层硅基板上设有用于避让功能元件...
刘星李晓林杨栋陈东博王清源胡雅丽彭桢哲赵宇
GaAs MMIC宽带双平衡混频器的研制被引量：7
2009年
采用GaAs肖特基二极管工艺,设计并制造了一款宽带无源双平衡混频器,射频、本振频率为1.5~3.7 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,中频带宽DC^0.8 GHz。该混频器采用了环形二极管和螺旋式巴伦结构,在获得良好的变频损耗与隔离度的同时,显著减小了芯片面积,整体芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm。
赵宇吴洪江高学邦王绍东
关键词：混频器变频损耗肖特基二极管
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